[发明专利]谐振器和谐振器的制造方法

说明书

本发明提供一种谐振器和谐振器的制造方法，该谐振器的特征在于，包括：衬底；反射层，该反射层形成在衬底上，并且包括一个或多个彼此堆叠形成的声速层组，该声速层组包括第一声速层以及形成在第一声速层上并且具有比所述第一声速层具有的声速要小的声速的第二声速层；以及压电层，该压电层由PMNT材料形成并且形成在反射层上。

技术领域

本申请涉及电子器件，尤其涉及谐振器以及谐振器的制造方法。

背景技术

声表面波(SAW：surface acoustic wave)、体声波(BAW)、以及薄膜体声波(FBAR)是当前可移动设备滤波器领域的三大主流技术。其中，低频和中频段又以SAW滤波器为主，声表面波(SAW)器件是基于压电材料的压电效应，利用压电材料表面的声表面波工作的电子器件，其利用形成于压电材料表面的叉指换能器(IDT：interdigital transducer)(一种金属电极周期结构，其形状如同双手交叉)将电输入信号转换为声表面波，是现今通信设备的关键元器件。

作为声表面波器件之一，声表面波谐振器(以下有时简称为SAW谐振器)大量被应用在信号接收机前端以及双工器和接收滤波器等等。SAW谐振器具有低插入损耗和良好的抑制性能，可实现较宽的带宽和较小的体积。

随着通信领域的飞速发展，SAW谐振器从Normal-SAW(普通SAW)谐振器、TC-SAW(温度补偿型SAW)谐振器，更进一步演进到IHP-SAW(超高性能SAW)谐振器以及未来的XBAR技术等等。

其中，上述的IHP-SAW技术起源于村田制作所，其采用类似于SAW器件+SMR-BAW器件的多层反射栅结构的混合技术。相比于诸如BWP-SAW谐振器等传统类型谐振器，IHP-SAW滤波器能够提供更高的品质因数Q、更好的频率温度特性和改进的散热等。由于通信技术的进步，对性能优异的谐振器的需求正在逐年提高，对频率扩展、进一步的小型化、多频带实现等方面的需求也不断增加。在这样的环境下，预计在未来，IHP-SAW谐振器将会越来越重要。

发明内容

发明所要解决的技术问题

但是，现有的IHP-SAW谐振器的机电耦合系数K²(也可写为k²)≤8％。这显然无法满足5G通信技术的大带宽、高性能的通信要求。

本发明鉴于上述那样的现有问题而完成，其目的在于，提供一种谐振器及其制造方法，能够获得大带宽、高性能的诸如IHP-SAW谐振器这样的多层膜谐振器，满足5G及未来的通信技术对大带宽、高性能的SAW谐振器的需求。

解决技术问题的技术方案

在解决上述问题的本发明的一个实施例中，提供了一种谐振器，其特征在于，包括：

衬底；

反射层，该反射层形成在所述衬底上，并且包括一个或多个彼此堆叠形成的声速层组，该声速层组包括：

第一声速层；以及

第二声速层，该第二声速层形成在所述第一声速层上，并且具有比所述第一声速层具有的声速要小的声速；以及

压电层，该压电层由PMNT材料形成并且形成在所述反射层上。

在本发明的一实施例中，所述PMNT材料是化学式为(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3的材料，并且其中x为在0.33～0.35的范围中的值。

在本发明的一实施例中，所述谐振器还包括电极，该电极形成在所述压电层的上表面或所述压电层的下表面上、或形成在所述压电层的上表面和下表面两者上。