[发明专利]半导体器件

说明书

提供一种半导体器件。该半导体器件包括：基板，包括第一区域和第二区域；第一栅极结构，在基板的第一区域上沿第一方向延伸，该第一栅极结构包括第一栅极绝缘膜和设置在第一栅极绝缘膜上的第一功函数膜；以及第二栅极结构，在基板的第二区域上沿第一方向延伸，该第二栅极结构包括第二栅极绝缘膜和设置在第二栅极绝缘膜上的第二功函数膜，其中第一功函数膜在与第一方向交叉的第二方向上的第一厚度不同于第二功函数膜在第二方向上的第二厚度，以及其中第一功函数膜在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上的第一高度不同于第二功函数膜在第三方向上的第二高度。

技术领域

本公开涉及半导体器件。

背景技术

近来，随着信息介质的迅速普及，半导体器件的功能也已经被显著发展。在半导体产品中，制造和/或操作中的低成本有利于确保竞争力，产品的高集成有利于产品的小型化。为了高集成，正在按比例缩小半导体器件。

另一方面，随着节距尺寸减小，有益的是减小元件/信号线之间的电容并确保半导体器件中的接触之间的电稳定性。

发明内容

本公开的方面提供一种半导体器件，该半导体器件能够通过不同地形成分别设置在不同区域中的晶体管的栅极结构的功函数膜的厚度和高度而有效地控制不同区域中的晶体管的阈值电压(Vt)。

根据本公开的一示范性实施方式，提供一种半导体器件，该半导体器件包括：基板，包括第一区域和第二区域；第一栅极结构，在基板的第一区域上沿第一方向延伸，该第一栅极结构包括第一栅极绝缘膜和设置在第一栅极绝缘膜上的第一功函数膜；以及第二栅极结构，在基板的第二区域上沿第一方向延伸，该第二栅极结构包括第二栅极绝缘膜和设置在第二栅极绝缘膜上的第二功函数膜，其中第一功函数膜在与第一方向交叉的第二方向上的第一厚度不同于第二功函数膜在第二方向上的第二厚度，其中第一功函数膜在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上的第一高度不同于第二功函数膜在第三方向上的第二高度。

根据本公开的一示范性实施方式，提供一种半导体器件，该半导体器件包括：基板，包括第一区域和第二区域；第一栅极结构，在基板的第一区域上沿第一方向延伸，该第一栅极结构包括第一功函数膜和设置在由第一功函数膜限定的第一凹陷内的第一填充导电膜；以及第二栅极结构，在基板的第二区域上沿第一方向延伸，该第二栅极结构包括第二功函数膜和设置在由第二功函数膜限定的第二凹陷内的第二填充导电膜，其中设置在第一凹陷内的第一填充导电膜在与第一方向交叉的第二方向上的第一宽度不同于设置在第二凹陷内的第二填充导电膜在第二方向上的第二宽度，其中第一功函数膜在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上的第一高度不同于第二功函数膜在第三方向上的第二高度。

根据本公开的一示范性实施方式，提供一种半导体器件，该半导体器件包括：基板，包括NMOS区域和PMOS区域；第一有源图案，在基板的NMOS区域上沿第一方向延伸；第一栅极结构，在NMOS区域的第一有源图案上在与第一方向相交的第二方向上延伸，该第一栅极结构包括第一栅极绝缘膜、共形地形成在第一栅极绝缘膜上的第一功函数膜以及设置在第一功函数膜上的第一填充导电膜；第二有源图案，在基板的PMOS区域上沿第一方向延伸；第二栅极结构，在PMOS区域的第二有源图案上沿第二方向延伸，该第二栅极结构包括第二栅极绝缘膜、共形地形成在第二栅极绝缘膜上的第二功函数膜以及设置在第二功函数膜上的第二填充导电膜；第一源极/漏极区，设置在第一栅极结构的至少一侧；以及第二源极/漏极区，设置在第二栅极结构的至少一侧，其中第一功函数膜在第一方向上的第一厚度小于第二功函数膜在第一方向上的第二厚度，其中第一功函数膜在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上的第一高度小于第二功函数膜在第三方向上的第二高度。

然而，本公开的各方面不限于这里阐述的那些。通过参照下面给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其它方面将对于本公开所属领域的普通技术人员变得更加明显。

附图说明

通过参照附图详细描述本公开的示范性实施方式，本公开的以上和其它的方面以及特征将变得更加明显，附图中：