[发明专利]一种射频芯片及制备方法

权利要求书

1.一种射频芯片制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上通过外延生长依次形成场效应晶体管外延层结构和双极晶体管外延层结构，其中，所述场效应晶体管外延层结构和所述双极晶体管外延层结构均覆盖于所述衬底上的电感器区域、场效应晶体管区域和双极晶体管区域；

刻蚀所述双极晶体管外延层结构以分别在所述电感器区域和所述场效应晶体管区域露出所述场效应晶体管外延层结构；

在所述场效应晶体管区域刻蚀所述场效应晶体管外延层结构并沉积金属以形成场效应晶体管器件结构；

在所述双极晶体管区域刻蚀所述双极晶体管外延层结构并沉积金属以形成双极晶体管器件结构；

对所述电感器区域的所述场效应晶体管外延层结构通过离子注入形成第一绝缘区；

对所述场效应晶体管器件结构和所述双极晶体管器件结构蜡封；

在所述第一绝缘区上形成电感器结构。

2.如权利要求1所述的射频芯片制备方法，其特征在于，所述在所述第一绝缘区上形成电感器结构之前，所述方法还包括：

在所述场效应晶体管器件结构和所述双极晶体管器件结构之间通过离子注入形成第二绝缘区，所述第二绝缘区沿垂直所述衬底方向延伸至所述衬底。

3.如权利要求1所述的射频芯片制备方法，其特征在于，所述电感器结构包括沿垂直所述衬底方向形成于所述第一绝缘区上的下线圈、墩柱和上线圈，其中，所述下线圈和所述上线圈分别与所述墩柱的两端接触。

4.如权利要求1所述的射频芯片制备方法，其特征在于，所述场效应晶体管外延层结构包括依次形成于所述衬底上的缓冲层、沟道层、肖特基层和接触层。

5.如权利要求4所述的射频芯片制备方法，其特征在于，所述在所述场效应晶体管区域刻蚀所述场效应晶体管外延层结构并沉积金属以形成场效应晶体管器件结构包括：

在所述场效应晶体管区域的接触层上沉积金属以分别形成源极和漏极；

刻蚀所述接触层以在所述源极和漏极之间露出所述肖特基层；

在所述肖特基层沉积金属以形成栅极。

6.如权利要求1所述的射频芯片制备方法，其特征在于，所述双极晶体管外延层结构包括依次形成于所述场效应晶体管外延层结构上的集电极层、基极层和发射极层。

7.如权利要求6所述的射频芯片制备方法，其特征在于，所述在所述双极晶体管区域刻蚀所述双极晶体管外延层结构并沉积金属以形成双极晶体管器件结构包括：

在所述双极晶体管区域刻蚀所述发射极层和所述基极层以分别露出所述集电极层和所述基极层；

在所述发射极层、露出的所述基极层和露出的所述集电极层上分别沉积金属以对应形成电极。

8.如权利要求6所述的射频芯片制备方法，其特征在于，所述集电极层包括依次形成于所述场效应晶体管外延层结构上的第一磷化铟镓层和第一砷化镓层；所述基极层包括依次形成于所述第一砷化镓层上的第二磷化铟镓层、第二砷化镓层和第三磷化铟镓层；所述发射极层包括依次形成于所述第三磷化铟镓层上的第三砷化镓层。

9.一种射频芯片，其特征在于，采用如权利要求1至8任一项所述的射频芯片制备方法制备。