[发明专利]一种具有自适应延时补偿的过零检测电路及控制方法在审

专利信息
申请号: 202110392737.2 申请日: 2021-04-13
公开(公告)号: CN113325225A 公开(公告)日: 2021-08-31
发明(设计)人: 王红义;刘童博;陶韬;毛豪;陈帅谦 申请(专利权)人: 西安拓尔微电子有限责任公司
主分类号: G01R19/175 分类号: G01R19/175;H02M3/155
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 金凤
地址: 710000 陕西省西安市高新*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 自适应 延时 补偿 检测 电路 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种具有自适应延时补偿的过零检测电路,包括功率级DCDC电路、电流采样电路、自适应延时补偿的补偿模块和过零比较器,其特征在于:

电流采样电路采样功率级DCDC电路输出VOUT端采样电阻R0两端的电压,补偿电路采样功率级DCDC电路电感L0两端电压SW1、SW2,最终电流采样电路和补偿电路将采样到的电压转换为电流再转换为电压后分别输出到过零比较器的同相端和反相端,过零比较器输出比较结果。

2.根据权利要求1所述的具有自适应延时补偿的过零检测电路,其特征在于:

所述功率级DCDC电路包含功率开关MOS管MN0-MN3管,电感L0,采样电阻R0和负载电容C0;所述功率开关MOS管MN0源极连接内部端口SW1,功率开关MOS管MN0栅极连接V0端,功率开关MOS管MN0漏级连接输入端口VIN端,功率开关MOS管MN1源极连接到电源地,功率开关MOS管MN1栅极连接V1端,功率开关MOS管MN0漏级连接内部端口SW1,所述功率开关MOS管MN2源极连接到电源地,功率开关MOS管MN2栅极连接V2端,功率开关MOS管MN0漏级连接内部端口SW2,功率开关MOS管MN3源极连接内部端口SW2,功率开关MOS管MN3栅极连接V3端,功率开关MOS管MN3漏级连接输出端口VOUT;所述电感L0的一端连接内部端口SW1,另外一端接内部端口SW2,所述负载电容C0上极板接输出端口VOUT,下极板接电源地,所述采样电阻R0的一端接转换电阻R3的一端,另外一端接输出端口VOUT以及转换电阻R4的一端。

3.根据权利要求1所述的具有自适应延时补偿的过零检测电路,其特征在于:

所述电流采样电路包含P沟道增强型MOS管MP2-MP4,转换电阻R3、R4、R6,电流源IB1和IB2;所述P沟道增强型MOS管MP2的漏极和栅极一同连接电流源IB1的电流流入端以及P沟道增强型MOS管MP3的栅极,源极连接转换电阻R3一端和P沟道增强型MOS管MP4的源极;所述P沟道增强型MOS管MP3漏极连接P沟道增强型MOS管MP4栅极和电流源IB2的电流流入端,栅极连接P沟道增强型MOS管MP2的栅极和漏极以及电流流入端,源极连接转换电阻R4一端;所述P沟道增强型MOS管MP4的漏极连接转换电阻R6的一端和过零比较器的同相端,栅极连接P沟道增强型MOS管MP3的漏极和电流源IB2的电流流入端,源极连接转换电阻R3的一端和P沟道增强型MOS管MP2的源极;所述转换电阻R3一端连接采样电阻R0一端,另外一端连接P沟道增强型MOS管MP4的源极和P沟道增强型MOS管MP2的源极;所述转换电阻R4的一端连接输出端口VOUT以及采样电阻R0的一端,另外一端连接P沟道增强型MOS管MP3的源极;所述转换电阻R6的一端接过零比较器的同相端和P沟道增强型MOS管MP4的漏极,另外一端接电源地;所述电流源IB1电流流入端连接P沟道增强型MOS管MP2的漏极和栅极以及P沟道增强型MOS管MP3的栅极,电流流出端连接电源地;所述电流源IB2电流流入端连接P沟道增强型MOS管MP4的栅极以及P沟道增强型MOS管MP3的漏极,电流流出端连接电源地。

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