[发明专利]光电器件及其制造方法

权利要求书

1.一种光电器件的制造方法，所述光电器件的单个发光像素点或有效工作区域的特征尺寸小于等于500微米，其特征在于，包括：

S1：提供一半导体衬底；

S2：形成一层光刻胶层；

S3：利用一掩模版对光刻胶层进行曝光显影工艺，使半导体衬底上的第一部分区域被剩余的光刻胶层保护起来，而位于第一部分区域周围的第二部分区域被显开；

S4：形成第一层绝缘层，第一层绝缘层覆盖剩余的光刻胶层的上表面、第二部分区域对应的半导体衬底的上表面，并光刻胶层的厚度大于第一层绝缘层的厚度；

S5：进行去胶工艺，以去除剩余的光刻胶层及位于剩余的光刻胶层上的第一层绝缘层；

S6：形成第一传输层，使第一传输层覆盖第一层绝缘层的上表面及第一部分区域内的半导体衬底；

S7：在第一传输层上形成一层界面层；

S8：在界面层上形成一层发光材料层；

S9：形成第二层绝缘层，使第二层绝缘层覆盖位于第二部分区域内的发光材料层，并覆盖位于第一部分区域内的临近第二部分区域侧的发光材料层，以使第一部分区域内的中心区域内没有被第二层绝缘层覆盖；以及

S10：在第一部分区域内的中心区域内形成电子传输层。

2.根据权利要求1所述的光电器件的制造方法，其特征在于，还包括S11：在第一部分区域内的中心区域内的电子传输层上形成金属电极，并将金属电极延伸至中心区域的其中一侧的第二层绝缘层上。

3.根据权利要求1所述的光电器件的制造方法，其特征在于，发光材料层为钙钛矿材料层。

4.根据权利要求1所述的光电器件的制造方法，其特征在于，发光材料层为钙钛矿材料与有机材料、III-V族材料、II-VI族材料、IV族材料、稀土材料、氧化物材料、半导体纳米材料、绝缘材料中的一种或多种的组合。

5.根据权利要求1所述的光电器件的制造方法，其特征在于，第一传输层为空穴传输层。

6.根据权利要求1所述的光电器件的制造方法，其特征在于，第一层绝缘层的材料为二氧化硅、氧化铝、氮化硅、碳化硅、氮化铝中的任一者或多种材料的组合。

7.根据权利要求1所述的光电器件的制造方法，其特征在于，发光材料层与界面层直接接触。

8.根据权利要求1所述的光电器件的制造方法，其特征在于，通过调节第一部分区域内的被第二层绝缘层覆盖的发光材料层的尺寸，而调节第一部分区域内的没有被第二层绝缘层覆盖的中心区域尺寸，而调节电子传输层的尺寸。

9.根据权利要求1所述的光电器件的制造方法，其特征在于，通过掩模版限制形成第二层绝缘层的位置，而使第一部分区域内仅临近第二部分区域侧的发光材料层被第二层绝缘层覆盖。

10.根据权利要求1所述的光电器件的制造方法，其特征在于，通过掩模版限制形成电子传输层的位置，而使仅在第一部分区域内的中心区域内形成有电子传输层。

11.一种光电器件，所述光电器件的单个发光像素点或有效工作区域的特征尺寸小于等于500微米，其特征在于，包括：

半导体衬底，其中半导体衬底的第一部分区域上形成有第一传输层，位于第一部分区域周围的第二部分区域上形成有第一层绝缘层，并第一层绝缘层上形成有第一传输层；

在第一传输层上形成有一层界面层；

在界面层上形成有一层发光材料层；

第二部分区域内的发光材料层上及第一部分区域内的临近第二部分区域侧的发光材料层上形成有第二层绝缘层，而第一部分区域内的中心区域内的发光材料层上形成有一层电子传输层。

12.根据权利要求11所述的光电器件，其特征在于，发光材料层为钙钛矿材料层。