[发明专利]一种准二维钙钛矿一体化光电传输器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110392012.3 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN113285048B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 任宇琨;吕俊鹏;张勇;倪振华 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 高艳敏 |
| 地址： | 211102 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二维 钙钛矿 一体化 光电 传输 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种准二维钙钛矿一体化光电传输器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)制备发光层前驱体：将溴化铅、甲基溴化胺、异丁基溴化铵溶于有机溶剂制备成前驱液；
(2)在透明导电衬底上依次沉积空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和金属电极，所述电子注入层在电子输入层上表面选取两个相互独立的区域进行沉积，所述电子注入层表面沉积所述金属电极，所述发光层通过步骤(1)中所述前驱液沉积而成。
2.根据权利要求1所述的一体化光电传输器件的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述有机溶剂为DMF、DMSO、GBL中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的一体化光电传输器件的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述前驱液中溴化铅、甲基溴化胺按照1.5∶1-2∶1的摩尔比配置，异丁基溴化铵和甲基溴化胺摩尔数相同，其中甲基溴化胺摩尔浓度为0.1-1mol/L。
4.根据权利要求1所述的一体化光电传输器件的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述透明导电衬底为经过图案化的ITO或柔性透明导电电极。
5.根据权利要求1所述的一体化光电传输器件的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述空穴传输层的厚度为20-50nm，所述空穴传输层的材质为PEDOTE：PSS、Poly-TPD、TFB中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述的一体化光电传输器件的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述发光层厚度为100-300nm。
7.根据权利要求1所述的一体化光电传输器件的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述电子传输层的厚度为20-100nm，材质为TPBi或者ZnO。
8.根据权利要求1所述的一体化光电传输器件的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述电子注入层为1-3nm LiF。
9.根据权利要求1所述的一体化光电传输器件的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述金属电极厚度为5nm-200nm，材质为金、银、铝中的一种或多种组合。
10.权利要求1-9中任何一项权利要求所述制备方法制备得到的一体化光电传输器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
