[发明专利]阵列基板及其制备工艺、显示面板和显示装置在审
| 申请号: | 202110390869.1 | 申请日: | 2021-04-12 |
| 公开(公告)号: | CN112885853A | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
| 发明(设计)人: | 乔亚峥;郭会斌;沈鹭;孔曾杰;王明;代耀;刘俊;赵达裕;丁俊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;武汉京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人: | 韩来兵 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制备 工艺 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括过孔区和搭接金属线,所述过孔区至少设置有两个且所述过孔区内均形成有第一过孔,所述搭接金属线的两端分别伸入两个过孔区内的第一过孔,所述过孔区在所述阵列基板的厚度方向包括依次层叠设置的衬底基板、公共电极、栅极绝缘层、第一有源层和钝化层,所述搭接金属线位于所述第一有源层和钝化层之间。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极绝缘层的厚度为
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一有源层的厚度为
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括栅电极线,所述栅电极线将所述公共电极分隔为两部分,所述过孔区分布在所述栅电极的两侧,所述搭接金属线用于连接分布在所述栅电极线两侧的过孔区。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一过孔内填充有导电介质,用于实现所述搭接金属线与所述公共电极的电性连接。
6.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括公共电极线,位于所述栅电极线同侧公共电极之间通过所述公共电极线串联。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括第二有源层、源电极和漏电极,所述源电极和所述漏电极连接所述第二有源层。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括像素电极和数据线,所述源电极与所述数据线电性连接,所述漏电极与所述像素电极电性连接。
9.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-8任一项所述的阵列基板。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求9所述的显示面板。
11.一种阵列基板的制备工艺,用于制备如权利要求1-8任一项所述的阵列基板,其特征在于,包括以下步骤:
于一衬底基板上依次形成所述公共电极和栅极绝缘层;
于所述栅极绝缘层上方形成一层有源层,通过曝光、显影工艺保留所述过孔区的所述有源层,形成所述第一有源层;
形成两端分别位于两个第一有源层上方的搭接金属线;
形成覆盖所述搭接金属线及所述第一有源层的钝化层,并在所述过孔区形成所述第一过孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





