[发明专利]一种基于磁声耦合效应的无创脑深部精准复合场刺激装置在审
| 申请号： | 202110390234.1 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN113101526A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 刘志朋;殷涛;周晓青;马任;张顺起;靳静娜 | 申请（专利权）人： | 中国医学科学院生物医学工程研究所 |
| 主分类号： | A61N2/04 | 分类号： | A61N2/04;A61N7/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 300192 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 耦合 效应 无创脑深部 精准 复合 刺激 装置 | ||
1.一种基于磁声耦合效应的无创脑深部精准复合场刺激装置，其特征在于，包括：
超声波发射模块，用于向目标位置发射超声波波束；
交变磁场发射模块，用于向所述目标位置提供交变磁场及磁感应交变电场；
其中，所述超声波波束与所述交变磁场在所述目标位置所成夹角大于0度；所述超声波波束与所述磁感应交变电场在所述目标位置所成夹角大于0度。
2.根据权利要求1所述的复合场刺激装置，其特征在于，所述超声波波束与所述交变磁场在所述目标位置所成夹角为90度；所述超声波波束与所述磁感应交变电场在所述目标位置所成夹角为90度。
3.根据权利要求1所述的复合场刺激装置，其特征在于，所述交变磁场发射模块包括交变线圈和交变磁场激励装置，所述交变磁场激励装置用于向所述交变线圈输出交变电流。
4.根据权利要求3所述的复合场刺激装置，其特征在于，所述交变磁场激励装置包括储能电容、脉冲整形电路以及可控硅开关。
5.根据权利要求3所述的复合场刺激装置，其特征在于，所述交变线圈为8字形。
6.根据权利要求1所述的复合场刺激装置，其特征在于，所述超声波发射模块包括聚焦超声换能器和脉冲超声激励源，所述脉冲超声激励源用于向所述聚焦超声换能器提供激励。
7.根据权利要求6所述的复合场刺激装置，其特征在于，所述聚焦超声换能器包括单阵元聚焦超声换能器或相控阵聚焦超声换能器；
所述脉冲超声激励源的激励通道与所述聚焦超声换能器的阵元一一对应。
8.根据权利要求7所述的复合场刺激装置，其特征在于，所述聚焦超声换能器还包括控制部，所述控制部用于通过调节所述激励通道的脉冲激励参数，以调节所述相控阵聚焦超声换能器的焦点位置。
9.根据权利要求1所述的复合场刺激装置，其特征在于，所述交变磁场发射模块包括所述交变线圈和四维线圈固定装置，所述四维线圈固定装置用于调节所述交变线圈的三维空间位置以及朝向；
所述超声波发射模块包括聚焦超声换能器和四维换能器固定装置，所述四维换能器固定装置用于调节所述聚焦超声换能器的三维空间位置以及朝向。
10.根据权利要求1所述的复合场刺激装置，其特征在于，还包括头部固定装置，用于固定被刺激对象头部。
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