[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202110388636.8 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN113130298A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 罗军;袁述;许静;张丹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/423;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底，所述衬底上形成有碳化硅层；
采用离子注入对所述碳化硅层进行轰击，以使所述碳化硅层的表层非晶化，形成碳化硅的非晶层；
进行氧化工艺，以将所述碳化硅的非晶层氧化为氧化硅层。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，根据需要的氧化硅层的厚度利用离子注入控制所述碳化硅的非晶层的厚度。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述碳化硅的非晶层的厚度范围为5-200nm。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述离子注入的能量范围为20keV-1MeV，离子注入的剂量范围为1e14-1e17/cm2。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述轰击的离子的原子质量大于或等于Si的原子质量。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述轰击的离子为Si、Ge、Sn、As、Ga、In、P、Te或Bi中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述氧化工艺为干氧氧化、湿氧氧化、水汽氧化、通入氧气氧化或通入氧化氮氧化中的至少一种。
8.根据权利要求1-7任意一项所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：
对所述氧化硅层进行退火工艺，进行所述退火工艺时通入的气体为氮气、氩气或氧化氮中的至少一种。
9.根据权利要求1-7任意一项所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述氧化硅层上形成其他氧化层，所述其他氧化层为HfO2、Al2O3、AlON、AlN、HfAlON、Y2O3、LaSiOx、Gd2O3、TiO2、Ta2O5中的至少一种。
10.根据权利要求1-7任意一项所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述氧化硅层上形成栅极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
