[发明专利]3D存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种3D存储器件的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成叠层结构，包括交替堆叠的层间牺牲层与介质层；

在所述叠层结构表面形成掩模层；

基于所述掩模层刻蚀所述叠层结构以形成多个台阶，至少所述层间牺牲层的侧壁被暴露；

在所述牺牲层的侧壁形成隔离部，所述隔离部与所述介质层将所述层间牺牲层包围；以及

采用刻蚀剂去除所述掩模层。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在去除所述掩模层的步骤中，所述隔离部与所述介质层共同作为刻蚀停止层保护所述牺牲层。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述层间牺牲层相对的第一表面与第二表面被相邻的所述介质层覆盖。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述掩模层的材料包括金属氧化物，

其中，采用刻蚀剂去除所述掩模层的步骤包括采用湿法刻蚀工艺去除所述掩模层。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述刻蚀剂包括磷酸。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述刻蚀剂还包括氢氟酸。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述层间牺牲层包括氮化物层，所述介质层包括氧化物层。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，形成多个隔离部的步骤包括：将所述牺牲层暴露的部分氧化。

9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，形成多个隔离部的步骤包括：在所述牺牲层在所述台阶位置暴露的部分形成氧化层。

10.根据权利要求1-7任一所述的制造方法，其特征在于，在去除所述掩模层后，所述制造方法还包括：形成覆盖所述台阶的填充层。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，在形成所述填充层后，所述制造方法还包括：

形成穿过所述叠层结构的多个沟道柱；以及

将所述层间牺牲层替换为栅极导体层。

12.一种3D存储器件，其特征在于，包括：

衬底；

叠层结构，位于所述衬底上，包括交替堆叠的多个栅极导体层与多个介质层，所述叠层结构具有多个台阶；

多个隔离部，所述隔离部位于所述台阶，并覆盖所述栅极导体层的侧壁，所述隔离部与所述介质层将相应所述栅极导体层包围；以及

穿过所述叠层结构的多个沟道柱，

其中，所述隔离部位于相应的两个相邻的所述介质层之间。