[发明专利]排布优化方法、排布优化装置、电子设备及可读存储介质

说明书

本公开实施例提供了排布优化方法、排布优化装置、电子设备及可读存储介质。包括：获取初始阵列排布模型，初始阵列排布模型包括边缘阵列区域和内部阵列区域，边缘阵列区域包围内部阵列区域，边缘阵列区域呈目标形状，位于内部阵列区域内的VCSEL单元的位置可移动；调整初始阵列排布模型中的位于内部阵列区域内的VCSEL单元的位置，直至温度势能排斥模型达到稳定状态，温度势能排斥模型达到稳态状态为调整后的初始阵列排布模型中的各个VCSEL单元之间的温度斥力达到平衡的状态；在确定调整后的初始阵列排布模型中的边缘阵列区域与初始阵列排布模型中的边缘阵列区域一致的情况下，将调整后的初始阵列排布模型确定为目标阵列排布模型。

技术领域

本公开实施例涉及激光器技术领域，更具体地，涉及一种排布优化方法、排布优化装置、电子设备、计算机可读存储介质及计算机程序产品。

背景技术

VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，垂直腔面发射激光器)是出光方向垂直衬底表面的一种新构型半导体激光器，其有别于LED(Light Emitting Diode，发光二极管)和EEL(Edge Emitting Laser，边发射激光器)等其他光源，具有体积小、圆形输出光斑、单纵模输出、阈值电流小、价格低廉和易集成为大面积阵列等优点，广泛应用于光通信、光互连或光存储等领域。

在相关技术中，VCSEL阵列的排布形式通常为规则形状排布。

在实现本公开构思的过程中，发明人发现相关技术中至少存在如下问题，采用相关技术的VCSEL阵列排布方式使得光束质量较差。

发明内容

有鉴于此，本公开实施例提供了一种排布优化方法、排布优化装置、电子设备、计算机可读存储介质及计算机程序产品。

本公开实施例的一个方面提供了一种排布优化方法，包括：

获取初始阵列排布模型，其中，上述初始阵列排布模型包括边缘阵列区域和内部阵列区域，上述边缘阵列区域包围上述内部阵列区域，上述边缘阵列区域包括M个垂直腔面发射激光器VCSEL单元，上述内部阵列区域包括N个VCSEL单元，上述边缘阵列区域呈目标形状，位于上述边缘阵列区域内的上述VCSEL单元的位置不可移动，位于上述内部阵列区域内的上述VCSEL单元的位置可移动，M≥3，N≥1；调整上述初始阵列排布模型中的位于上述内部阵列区域内的上述VCSEL单元的位置，直至温度势能排斥模型达到稳定状态，其中，上述温度势能排斥模型达到稳态状态为调整后的初始阵列排布模型中的各个VCSEL单元之间的温度斥力达到平衡的状态；以及，在确定上述调整后的初始阵列排布模型中的边缘阵列区域与上述初始阵列排布模型中的边缘阵列区域一致的情况下，将上述调整后的初始阵列排布模型确定为目标阵列排布模型。

根据本公开的实施例，排布优化方法还包括：在确定上述调整后的初始阵列排布模型中的边缘阵列区域与上述初始阵列排布模型中的边缘阵列区域不一致的情况下，增加预设数量的位于上述边缘阵列区域内的VCSEL单元，并减少上述预设数量的位于上述内部阵列区域内的VCSEL单元，得到新的初始阵列排布模型；执行调整上述新的初始阵列排布模型中的位于上述内部阵列区域内的上述VCSEL单元的位置，确定调整后的新的初始阵列排布模型中的边缘阵列区域与上述新的初始阵列排布模型中的边缘阵列区域一致的情况下的操作；以及，在确定调整后的新的初始阵列排布模型中的边缘阵列区域与上述新的初始阵列排布模型中的边缘阵列区域一致的情况下，将上述调整后的新的初始阵列排布模型确定为上述目标阵列排布模型。

根据本公开的实施例，上述预设数量包括一个。

根据本公开的实施例，两个上述VCSEL单元之间的温度斥力通过如下公式表示：