[发明专利]一种增强太阳能电池光吸收的微纳混合结构及制备方法在审
申请号: | 202110384144.1 | 申请日: | 2021-04-09 |
公开(公告)号: | CN113299776A | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 陈乐;方博闻;罗炜;孙嘉伟 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/0445;H01L31/18 |
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地址: | 541004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 增强 太阳能电池 光吸收 混合结构 制备 方法 | ||
1.本发明提供的是一种增强太阳能电池光吸收的微纳混合结构及制备方法。其特征是:金字塔结构硅片(a)通过化学腐蚀法制备得到微纳混合结构,简称黑硅(b),然后以黑硅(b)为模板,在其结构面上浇筑PDMS胶,得到黑硅和PDMS胶的混合结构体(c),最后通过脱模过程得到表面微纳混合结构PDMS薄膜(d)。所述制备方法中,金字塔结构硅片(a)清洗后固定于玻璃衬底,然后用化学试剂在硅片上刻蚀纳米线阵列,清洗并烘干后制备得到黑硅(b);接着以黑硅为模板,将调配好的PDMS膜浇筑在黑硅的金字塔结构面,并进行抽真空处理,得到黑硅与PDMS的混合结构体(c);最后恒温70度加热至PDMS胶完全固化,再采用拔模工艺将黑硅(b)与PDMS胶膜分离,得到具有表面微纳混合结构的PDMS胶膜。
2.根据权利要求1所述的表面微纳混合结构。其特征是:所述的表面微纳混合结构是以黑硅为模板,然后将PDMS胶浇筑在黑硅结构表面,恒温固化后,经拔模工艺后制备得到;该结构是由微米尺度的金字塔结构和纳米尺度的纳米线阵列结构组成的双重抗反射结构。
3.根据权利要求1所述的PDMS胶膜。其特征是:PDMS胶膜中金字塔结构的周期为10μm-20μm,纳米线阵列结构的高度为50nm-100nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的