[发明专利]半导体生产装置在审

专利信息
申请号: 202110382874.8 申请日: 2021-04-09
公开(公告)号: CN113130354A 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: 吴子见 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 王辉;阚梓瑄
地址: 230601 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 半导体 生产 装置
【说明书】:

本公开提供了一种半导体生产装置,涉及半导体制造技术领域。该半导体生产装置包括:面板和加热器。面板包括多个第一通孔,被配置为通过所述多个第一通孔将工艺气体均匀地分布在晶圆上;加热器设于所述面板的一侧,用于对所述面板进行加热。本公开提供的半导体生产装置,能够对面板的进行加热,从而避免面板上形成残留物。

技术领域

本公开涉及半导体制造技术领域,具体而言,涉及一种半导体生产装置。

背景技术

在半导体的制程中,由于APF(Advanced Patterning Film,先进图型掩膜层)具有较高的选择比,被作为HM(Hard Mask,硬掩模)广泛应用。通常采用半导体生产装置通过PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,等离子体增强化学的气相沉积法)合成APF,但通过PECVD合成APF时容易产生残留物,目前残留在chamber(腔体)中的残留物一般通过O2 plasma(离子)去除。然而,半导体生产装置上的残留物并不容易清洗。

需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开实施例的目的在于提供一种半导体生产装置,能够对面板的温度进行控制,有利于残留物的清除,从而避免面板上形成残留物。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然,或部分地通过本公开的实践而习得。

根据本公开实施例的一个方面,提供了一种半导体生产装置,该半导体生产装置包括:

面板,包括多个第一通孔,被配置为通过所述多个第一通孔将工艺气体均匀地分布在晶圆上;

加热器,设于所述面板的一侧,用于对所述面板进行加热。

在本公开的一种示例性实施例中,所述加热器在所述面板上的正投影位于所述面板的边缘区域。

在本公开的一种示例性实施例中,所述加热器呈环状。

在本公开的一种示例性实施例中,所述半导体生产装置还包括:

气箱,设于所述面板的一侧。

在本公开的一种示例性实施例中,所述加热器设于所述气箱背离所述面板的一侧。

在本公开的一种示例性实施例中,所述气箱包括:

气箱本体;

固定部,设于所述气箱本体上,朝向所述气箱本体的外围延伸。

在本公开的一种示例性实施例中,所述加热器设于所述固定部上。

在本公开的一种示例性实施例中,所述加热器在所述气箱上的正投影位于所述固定部中。

在本公开的一种示例性实施例中,所述装置还包括:

阻隔板,位于所述气箱与所述面板之间,所述阻隔板上形成有多个第二通孔,用于对工艺气体导入所述面板前进行混合。

在本公开的一种示例性实施例中,所述装置还包括:

夹紧件,所述夹紧件设于所述加热器背离所述面板的一侧,与所述气箱配合形成对所述加热器的固定。

在本公开的一种示例性实施例中,所述装置还包括:

控制器,与所述加热器连接,用于控制所述加热器将所述面板加热至目标温度。

在本公开的一种示例性实施例中,所述加热器包括:

加热丝,与所述控制器连接;

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