[发明专利]半导体生产装置在审
申请号: | 202110382874.8 | 申请日: | 2021-04-09 |
公开(公告)号: | CN113130354A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 吴子见 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 生产 装置 | ||
本公开提供了一种半导体生产装置,涉及半导体制造技术领域。该半导体生产装置包括:面板和加热器。面板包括多个第一通孔,被配置为通过所述多个第一通孔将工艺气体均匀地分布在晶圆上;加热器设于所述面板的一侧,用于对所述面板进行加热。本公开提供的半导体生产装置,能够对面板的进行加热,从而避免面板上形成残留物。
技术领域
本公开涉及半导体制造技术领域,具体而言,涉及一种半导体生产装置。
背景技术
在半导体的制程中,由于APF(Advanced Patterning Film,先进图型掩膜层)具有较高的选择比,被作为HM(Hard Mask,硬掩模)广泛应用。通常采用半导体生产装置通过PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,等离子体增强化学的气相沉积法)合成APF,但通过PECVD合成APF时容易产生残留物,目前残留在chamber(腔体)中的残留物一般通过O2 plasma(离子)去除。然而,半导体生产装置上的残留物并不容易清洗。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开实施例的目的在于提供一种半导体生产装置,能够对面板的温度进行控制,有利于残留物的清除,从而避免面板上形成残留物。
本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然,或部分地通过本公开的实践而习得。
根据本公开实施例的一个方面,提供了一种半导体生产装置,该半导体生产装置包括:
面板,包括多个第一通孔,被配置为通过所述多个第一通孔将工艺气体均匀地分布在晶圆上;
加热器,设于所述面板的一侧,用于对所述面板进行加热。
在本公开的一种示例性实施例中,所述加热器在所述面板上的正投影位于所述面板的边缘区域。
在本公开的一种示例性实施例中,所述加热器呈环状。
在本公开的一种示例性实施例中,所述半导体生产装置还包括:
气箱,设于所述面板的一侧。
在本公开的一种示例性实施例中,所述加热器设于所述气箱背离所述面板的一侧。
在本公开的一种示例性实施例中,所述气箱包括:
气箱本体;
固定部,设于所述气箱本体上,朝向所述气箱本体的外围延伸。
在本公开的一种示例性实施例中,所述加热器设于所述固定部上。
在本公开的一种示例性实施例中,所述加热器在所述气箱上的正投影位于所述固定部中。
在本公开的一种示例性实施例中,所述装置还包括:
阻隔板,位于所述气箱与所述面板之间,所述阻隔板上形成有多个第二通孔,用于对工艺气体导入所述面板前进行混合。
在本公开的一种示例性实施例中,所述装置还包括:
夹紧件,所述夹紧件设于所述加热器背离所述面板的一侧,与所述气箱配合形成对所述加热器的固定。
在本公开的一种示例性实施例中,所述装置还包括:
控制器,与所述加热器连接,用于控制所述加热器将所述面板加热至目标温度。
在本公开的一种示例性实施例中,所述加热器包括:
加热丝,与所述控制器连接;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造