[发明专利]半导体生产装置

说明书

本公开提供了一种半导体生产装置，涉及半导体制造技术领域。该半导体生产装置包括：面板和加热器。面板包括多个第一通孔，被配置为通过所述多个第一通孔将工艺气体均匀地分布在晶圆上；加热器设于所述面板的一侧，用于对所述面板进行加热。本公开提供的半导体生产装置，能够对面板的进行加热，从而避免面板上形成残留物。

技术领域

本公开涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种半导体生产装置。

背景技术

在半导体的制程中，由于APF(Advanced Patterning Film，先进图型掩膜层)具有较高的选择比，被作为HM(Hard Mask，硬掩模)广泛应用。通常采用半导体生产装置通过PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学的气相沉积法)合成APF，但通过PECVD合成APF时容易产生残留物，目前残留在chamber(腔体)中的残留物一般通过O₂ plasma(离子)去除。然而，半导体生产装置上的残留物并不容易清洗。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开实施例的目的在于提供一种半导体生产装置，能够对面板的温度进行控制，有利于残留物的清除，从而避免面板上形成残留物。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。

根据本公开实施例的一个方面，提供了一种半导体生产装置，该半导体生产装置包括：

面板，包括多个第一通孔，被配置为通过所述多个第一通孔将工艺气体均匀地分布在晶圆上；

加热器，设于所述面板的一侧，用于对所述面板进行加热。

在本公开的一种示例性实施例中，所述加热器在所述面板上的正投影位于所述面板的边缘区域。

在本公开的一种示例性实施例中，所述加热器呈环状。

在本公开的一种示例性实施例中，所述半导体生产装置还包括：

气箱，设于所述面板的一侧。

在本公开的一种示例性实施例中，所述加热器设于所述气箱背离所述面板的一侧。

在本公开的一种示例性实施例中，所述气箱包括：

气箱本体；

固定部，设于所述气箱本体上，朝向所述气箱本体的外围延伸。

在本公开的一种示例性实施例中，所述加热器设于所述固定部上。

在本公开的一种示例性实施例中，所述加热器在所述气箱上的正投影位于所述固定部中。

在本公开的一种示例性实施例中，所述装置还包括：

阻隔板，位于所述气箱与所述面板之间，所述阻隔板上形成有多个第二通孔，用于对工艺气体导入所述面板前进行混合。

在本公开的一种示例性实施例中，所述装置还包括：

夹紧件，所述夹紧件设于所述加热器背离所述面板的一侧，与所述气箱配合形成对所述加热器的固定。

在本公开的一种示例性实施例中，所述装置还包括：

控制器，与所述加热器连接，用于控制所述加热器将所述面板加热至目标温度。

在本公开的一种示例性实施例中，所述加热器包括：

加热丝，与所述控制器连接；