[发明专利]一种超高压LLC半桥驱动电路及其工作方法在审
申请号: | 202110382870.X | 申请日: | 2021-04-09 |
公开(公告)号: | CN112953179A | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 田光华 | 申请(专利权)人: | 广东东菱电源科技有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人: | 李燕娥 |
地址: | 528478 广东省中山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超高压 llc 驱动 电路 及其 工作 方法 | ||
本发明实施例公开了一种超高压LLC半桥驱动电路及其工作方法,该电路包括控制单元、隔离单元、上开关元件及下开关元件;上开关元件及下开关元件分别连接变压器;控制单元上设有自举端脚,自举端脚接地;控制单元,用于输出驱动信号,并将驱动信号一分为二;隔离单元,用于对其中一路驱动信号进行自举升压,以得到处理后的信号;上开关元件,用于根据处理后的信号进行导通或截断;下开关元件,用于根据另一路驱动信号进行导通或截断。本发明通过关闭控制单元内部的自举电路,通过控制单元输出的驱动信号经由隔离单元进行自举升压后,驱动上开关元件导通或截断,下开关元件由控制单元直接驱动,实现体积小,确保性能,耐压可达到高输入电压要求。
技术领域
本发明涉及LLC半桥驱动电路技术领域,尤其涉及一种超高压LLC半桥驱动电路及其工作方法。
背景技术
市面上的LLC半桥驱动主芯片的驱动输出极一般有两种方式,一种是主芯片自带上半桥自举升压电路,驱动上半桥MOS管,下半桥MOS管直接由主芯片驱动,不需要自举或其它驱动,但是市面上的带自举电路的LLC半桥驱动芯片的自举电路的耐压都不会超过650V,无法满足DC700-750V等超高输入电压的要求;另一种LLC半桥驱动主芯片外加变压器和外围零件做一个自举电路,以节省芯片成本。
综上所述,LLC半桥驱动主芯片自带自举升压的电路,耐压达不到DC700-750V的输入电压要求,外置变压器自举电路体积又太大,而且性能难保证。
因此,有必要设计一种新的电路,实现体积小,且确保性能,耐压可达到DC700-750V的输入电压要求。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种超高压LLC半桥驱动电路及其工作方法。
为解决上述技术问题,本发明的目的是通过以下技术方案实现的:提供一种超高压LLC半桥驱动电路,包括控制单元、隔离单元、上开关元件以及下开关元件;所述上开关元件以及下开关元件分别连接变压器;所述控制单元上设有自举端脚,所述自举端脚接地;其中,所述控制单元,用于输出驱动信号,并将驱动信号一分为二;所述隔离单元,用于对其中一路驱动信号进行自举升压,以得到处理后的信号;所述上开关元件,用于根据处理后的信号进行导通或截断;所述下开关元件,用于根据另一路驱动信号进行导通或截断。
其进一步技术方案为:所述控制单元包括控制芯片IC2。
其进一步技术方案为:所述隔离单元包括隔离芯片IC3。
其进一步技术方案为:所述上开关元件包括Mos管Q13,所述下开关元件包括Mos管Q14,所述Mos管Q13的栅极与所述隔离芯片IC3连接,所述Mos管Q14的栅极与所述控制芯片IC2连接,所述Mos管Q14的漏极以及所述Mos管Q13的源极分别与所述变压器的输入侧连接。
其进一步技术方案为:所述控制芯片IC2与所述Mos管Q14的栅极之间连接有电阻R84以及二极管D12,所述Mos管Q14的栅极与所述Mos管Q14的源极之间连接有放大三极管Q9;该放大三极管Q9的基极与所述控制芯片IC2连接,所述Mos管Q14的源极接地。
其进一步技术方案为:所述控制芯片IC2与所述变压器通过电流检测单元连接。
其进一步技术方案为:所述电流检测单元包括依序连接的电阻R77、二极管D7、电阻R87、电容C27以及电容C29;所述电阻R77与所述控制芯片IC2连接,所述电容C29与所述变压器的输入侧连接。
其进一步技术方案为:所述电阻R77与所述控制芯片IC2之间还连接有一端接地的电阻R74以及电容C20。
其进一步技术方案为:所述二极管D7与电阻R87之间还连接有一端接地的二极管D9。
另外,本发明要解决的技术问题是还在于提供一种超高压LLC半桥驱动电路的工作方法,包括:
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