[发明专利]沟槽型IGBT原胞结构制作方法和沟槽型IGBT原胞结构

权利要求书

1.一种沟槽型IGBT原胞结构制作方法，其特征在于，包括：

在导电单晶片上形成氧化层，在两个原胞间的氧化层上生长locos氧化层薄膜；

在所述氧化层制作硅槽，并在所述硅槽生长牺牲氧化层进行腐蚀，再生成栅氧化层；

淀积掺杂多晶，刻蚀位于对应发射区接触孔位置的多晶，并掺杂注入形成原胞上P阱结构，扩散形成P阱；

在所述P阱注入砷杂质并扩散形成电流区结构；

淀积掺杂氧化层，在所述掺杂氧化层形成发射区接触孔，刻蚀所述发射区接触孔形成浅硅槽，使浅硅槽穿过所述电流区结构延伸至P阱，并在所述电流区结构底部形成硼晕环；

对所述发射区接触孔注入形成掺杂的发射区后进行有孔退火，并淀积金属形成发射区的接触引线金属。

2.根据权利要求1所述的沟槽型IGBT原胞结构制作方法，其特征在于，所述在两个原胞间的氧化层上生长locos氧化层薄膜，包括：

在所述氧化层淀积氮化硅膜层；

在所述氮化硅膜层开出两个原胞间距上生长locos热氧化层的氮化硅窗口；

在所述氮化硅窗口生长locos氧化层薄膜。

3.根据权利要求2所述的沟槽型IGBT原胞结构制作方法，其特征在于，所述在所述氮化硅膜层开出两个原胞间距上生长locos热氧化层的氮化硅窗口，包括：使用光刻或干法刻蚀两个原胞间距上生长locos热氧化层的氮化硅窗口。

4.根据权利要求3所述的沟槽型IGBT原胞结构制作方法，其特征在于，所述在所述氮化硅窗口生长locos氧化层薄膜，包括：去除光刻胶，按预设氧化条件在所述氮化硅窗口热生长locos氧化层薄膜。

5.根据权利要求2所述的沟槽型IGBT原胞结构制作方法，其特征在于，所述在所述氧化层制作硅槽，并在所述硅槽生长牺牲氧化层进行腐蚀，再生成栅氧化层，包括：

去除所述氧化层上的氮化硅膜层，并淀积硬掩模氧化层薄膜；

在所述硬掩模氧化层薄膜刻蚀出氧化层硬掩模开槽窗口，通过氧化层硬掩模开槽窗口刻出硅槽；

清洗硅槽内的刻蚀附着物，并生长牺牲氧化层；

腐蚀去除所述硅槽侧壁内的牺牲氧化膜层，并重新生长硅槽侧壁栅氧化层。

6.根据权利要求5所述的沟槽型IGBT原胞结构制作方法，其特征在于，所述去除所述氧化层上的氮化硅膜层，并淀积硬掩模氧化层薄膜，包括：使用干法或湿法去除所述氧化层上的氮化硅膜层，并淀积硬掩模氧化层薄膜。

7.根据权利要求5所述的沟槽型IGBT原胞结构制作方法，其特征在于，所述在所述硬掩模氧化层薄膜刻蚀出氧化层硬掩模开槽窗口，通过氧化层硬掩模开槽窗口刻出硅槽，包括：在所述硬掩模氧化层薄膜光刻或干法刻蚀出氧化层硬掩模开槽窗口，并干法或湿法去除表面光刻胶；通过所述氧化层硬掩模开槽窗口干法刻出硅槽。

8.根据权利要求1-7任意一项所述的沟槽型IGBT原胞结构制作方法，其特征在于，所述发射区的栅槽间距小于原胞总体长度的一半。

9.根据权利要求8所述所述的沟槽型IGBT原胞结构制作方法，其特征在于，所述发射区的栅槽间距为原胞总体长度的1/3±10％。

10.一种沟槽型IGBT原胞结构，其特征在于，根据权利要求1-9任意一项所述的方法制作得到。