[发明专利]一种模拟像素电路

权利要求书

1.一种模拟像素电路，其特征是，包含：

第一个极性像素电压的存储和显示电路，以及，与第一个极性相反的第二极性像素电压的存储和显示电路，两个极性像素电压的存储和显示电路并联后共同连接像素输出节点；

每个极性像素电压的存储和显示电路包括：像素电压存储控制开关、像素电压存储电容、像素电压跟随电路和像素显示控制开关；所述像素电压存储控制开关的一端连接信号输入端口，像素电压存储控制开关的另一端分两路，一路连接像素电压存储电容，另一路连接像素电压跟随电路的输入端，像素电压跟随电路的输出端串联像素显示控制开关后接入像素输出节点；

第一和第二极性像素电压的存储和显示电路中：像素电压存储控制开关在不同时间导通，将信号输入端口输入的像素驱动电压分别采样到像素电压存储电容；像素电压存储控制开关断开后，像素驱动电压保持在像素电压存储电容；像素显示控制开关在不同时间导通，将像素电压存储电容中保持的像素电压通过跟随电路驱动到像素输出节点输出。

2.根据权利要求1所述的一种模拟像素电路，其特征是，所述像素电压存储开关类型根据工作电压的不同选择为单个NMOS开关，单个PMOS开关或PMOS和NMOS并联的互补开关。

3.根据权利要求1所述的一种模拟像素电路，其特征是，所述像素电压存储电容为PIP电容、NCAP电容、NMOS电容、PMOS电容、MIM电容和MOM电容中任一种类型。

4.根据权利要求1所述的一种模拟像素电路，其特征是，所述像素电压跟随电路为电压跟随器、两个NMOS构成和两个PMOS构成中任一种类型。

5.根据权利要求1所述的一种模拟像素电路，其特征是，还包括辅助存储电容；所述辅助存储电容并联在像素输出节点。

6.根据权利要求5所述的一种模拟像素电路，其特征是，辅助存储电容为PIP电容、NCAP电容、MIM电容和MOM电容中任一种类型。

7.根据权利要求1所述的一种模拟像素电路，其特征是，所述像素显示控制开关类型根据工作电压的不同选择为单个NMOS开关，单个PMOS开关或PMOS和NMOS并联的互补开关。

8.根据权利要求1所述的一种模拟像素电路，其特征是，所述A极性像素电压的存储和显示电路中：A极性像素电压存储控制开关为PMOS晶体管QP3，A极性像素电压存储电容由NMOS晶体管QN5和金属电容Cmim1并联组成，A极性像素电压跟随电路由两个NMOS晶体管QN1和QN2构成，A极性像素显示控制开关为NMOS晶体管QN4；

信号输入端口VP连接A极性像素电压存储控制开关QP3的漏极，QP3的栅极作为存储控制节点S1，QP3的源极连接晶体管QN5的栅极、电容Cmim1的一个极板和晶体管QN1的栅极；QN5的源极、漏极和Cmim1的另一个极板一起接地；NMOS器件QN1的源极、QN2的漏极和QN4的漏极连接在一起；晶体管工作控制节点VBN连接NMOS器件QN2的栅极，VBN提供QN2的偏置电压使QN1和QN2可以工作在跟随器状态；QN4的栅极作为显示控制节点S2；晶体管QN4的源极连接像素输出节点VOUT；

所述B极性像素电压的存储和显示电路中：B极性像素电压存储控制开关为晶体管QN3，B极性像素电压存储电容由晶体管QP5和金属电容Cmim2并联组成B极性像素电压跟随电路由两个PMOS晶体管QP1和QP2构成，B极性像素显示控制开关为晶体管QP4；

信号输入端口VP连接B极性像素电压存储控制开关QN3的漏极，QN3的栅极作为存储控制节点S4， QN3的源极连接晶体管QP5的栅极、电容Cmim2的一个极板和晶体管QP2的栅极；QP5的源极、漏极和Cmim1的另一个极板一起接电源；PMOS器件QP1的漏极、QP2的源极和QP4的漏极连接在一起；晶体管工作控制节点VBP连接PMOS器件QP1的栅极，VBP提供QP1的偏置电压使QP1和QP2可以工作在跟随器状态；QP4的栅极作为显示控制节点S3；晶体管QP4的源极连接像素输出节点VOUT。