[发明专利]用于使用远程等离子体化学气相沉积和溅射沉积来生长发光器件中的层的方法在审
| 申请号： | 202110382131.0 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN113078243A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | I·维尔德森;P·德布;E·C·尼尔森;J·科巴亚施 | 申请（专利权）人： | 亮锐控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/02;H01L21/324;H01L33/02;H01L33/04;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/36;H01L33/62 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 于非凡;陈岚 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 使用 远程 等离子体 化学 沉积 溅射 生长 发光 器件 中的 方法 | ||
1. 一种用于生长器件的方法，所述方法包括：
在不导致至少p型区的不可操作性的至少还原的氢环境中，通过RP-CVD和溅射沉积中的至少一种在生长衬底上方生长p型区；并且
使用非RP-CVD和非溅射沉积工艺在所述p型区上方生长n型区，所述p型区和所述n型区包括III族氮化物材料。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述生长衬底包括非III族氮化物材料和设置在非III族氮化物材料上的GaN膜，并且所述方法进一步包括通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）来生长所述GaN膜。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述生长衬底包括非III族氮化物材料，并且所述方法进一步包括：通过RP-CVD和溅射沉积中的至少一种来生长GaN膜。
4.根据权利要求1所述的方法，其中在所述p型区上方生长所述n型区包括通过RP-CVD和溅射沉积中的至少一种来生长所述n型区的一部分。
5.根据权利要求1所述的方法，其中在所述p型区上方生长所述n型区包括通过MOCVD来生长所述n型区。
6.一种用于生长器件的方法，所述方法包括：
通过RP-CVD和溅射沉积中的至少一种在生长衬底上方生长无氢p型区；
使用非RP-CVD和非溅射沉积工艺在所述p型区上方生长n型区，所述p型区和所述n型区包括III族氮化物材料。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述生长衬底包括非III族氮化物材料和设置在非III族氮化物材料上的GaN膜，并且所述方法进一步包括通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）来生长所述GaN膜。
8.根据权利要求6所述的方法，其中所述生长衬底包括非III族氮化物材料，并且所述方法进一步包括：通过RP-CVD和溅射沉积中的至少一种来生长GaN膜。
9.根据权利要求6所述的方法，其中在所述p型区上方生长所述n型区包括通过RP-CVD和溅射沉积中的至少一种来生长所述n型区的一部分。
10.根据权利要求6所述的方法，其中在所述p型区上方生长所述n型区包括通过MOCVD来生长所述n型区。
11. 一种用于生长器件的方法，所述方法包括：
在气体环境中，通过RP-CVD和溅射沉积中的至少一种在生长衬底上方生长p型区，所述气体环境包括含氮气体和不导致至少p型区的不可操作性的含氢气体中的一种或多种；并且
使用非RP-CVD和非溅射沉积工艺在所述p型区上方生长n型区，所述p型区和所述n型区包括III族氮化物材料。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述生长衬底包括非III族氮化物材料和设置在非III族氮化物材料上的GaN膜，并且所述方法进一步包括通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）来生长所述GaN膜。
13.根据权利要求11所述的方法，其中所述生长衬底包括非III族氮化物材料，并且所述方法进一步包括：通过RP-CVD和溅射沉积中的至少一种来生长GaN膜。
14.根据权利要求11所述的方法，其中在所述p型区上方生长所述n型区包括通过RP-CVD和溅射沉积中的至少一种来生长所述n型区的一部分。
15.根据权利要求11所述的方法，其中在所述p型区上方生长所述n型区包括通过MOCVD来生长所述n型区。
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