[发明专利]具有谐振腔的发光二极管结构及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管结构，其特征在于，所述发光二极管结构包括：

基板，所述基板中形成有驱动电路；

多个LED单元，多个所述LED单元在所述基板上形成并以阵列布置，所述LED单元通过所述驱动电路可单独被驱动；

第一反射器层，所述第一反射器层在所述基板和所述LED单元之间形成；以及

第二反射器层，所述第二反射器层在所述LED单元上形成，所述第二反射器层是分布式布拉格反射器，

其中，所述LED单元的公共阳极层在所述第一反射器层上形成；并且

所述第一反射器层、所述LED单元和所述第二反射器层被配置成共同提供谐振腔；

所述第一反射器层的第一反射率大于所述第二反射器层的第二反射率，所述LED单元发出的光从所述第二反射器层射出所述发光二极管结构。

2.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述分布式布拉格反射器包括多个TiO₂/SiO₂层或多个SiO₂/HfO₂层。

3.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述LED单元包括：

第一掺杂型半导体层，所述第一掺杂型半导体层在所述第一反射器层上形成；

多量子阱层，所述多量子阱层在所述第一掺杂型半导体层上形成；和

第二掺杂型半导体层，所述第二掺杂型半导体层在所述多量子阱层上形成，其中，所述第二掺杂型半导体层包括通过离子注入制成的隔离材料，并且所述隔离材料将所述第二掺杂型半导体层划分为多个LED台面，

其中，所述隔离材料的第一折射率低于所述LED台面的第二折射率。

4.根据权利要求3所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第一反射器层是第一掺杂型欧姆接触层。

5.根据权利要求3所述的发光二极管结构，其特征在于，所述LED单元进一步包括：

钝化层，所述钝化层在所述第二掺杂型半导体层上形成；和

电极层，所述电极层在所述钝化层上形成，通过所述钝化层上的开口接触所述第二掺杂型半导体层的一部分，

其中，所述LED台面的孔径小于所述钝化层上的所述开口。

6.一种发光二极管结构，其特征在于，所述发光二极管结构包括：

基板，所述基板中形成有驱动电路；

多个LED单元，多个所述LED单元在所述基板上形成并以阵列布置，所述LED单元通过所述驱动电路可单独被驱动；

第一反射器层，所述第一反射器层在所述基板上形成；

光学腔结构，所述光学腔结构在所述第一反射器层上形成；以及

第二反射器层，所述第二反射器层在所述光学腔结构上形成，所述第二反射器层是分布式布拉格反射器，

其中，所述光学腔结构由被离子注入材料所围绕的至少一个所述LED单元形成；

所述第一反射器层的第一反射率大于所述第二反射器层的第二反射率，所述LED单元发出的光从所述第二反射器层射出所述发光二极管结构。

7.根据权利要求6所述的发光二极管结构，其特征在于，所述分布式布拉格反射器包括多个TiO₂/SiO₂层或多个SiO₂/HfO₂层。

8.根据权利要求6所述的发光二极管结构，其特征在于，所述LED单元包括：

第一掺杂型半导体层，所述第一掺杂型半导体层在所述第一反射器层上形成；

多量子阱层，所述多量子阱层在所述第一掺杂型半导体层上形成；和

第二掺杂型半导体层，所述第二掺杂型半导体层在所述多量子阱层上形成，其中，所述第二掺杂型半导体层包括通过离子注入制成的所述离子注入材料，并且所述离子注入材料将所述第二掺杂型半导体层划分为多个LED台面，

其中，所述离子注入材料的第一折射率低于所述LED台面的第二折射率。