[发明专利]一种Ta2

权利要求书

1.一种Ta₂O₅陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

步骤一、将Ta(OH)₅粉末依次进行低温煅烧和高温煅烧，得到Ta₂O₅粉末；

所述低温煅烧的温度为600～750℃，低温煅烧的时间为3～6小时，低温煅烧的气氛为空气气氛；

所述高温煅烧的温度为800～1200℃，高温煅烧的时间为2～8小时，高温煅烧的气氛为氧气气氛；

步骤二、将去离子水和分散剂加入Ta₂O₅粉末中，得到Ta₂O₅料浆后依次进行研磨、雾化造粒、团化、模压、冷等静压和常压氧气气氛烧结，得到镀膜用的Ta₂O₅陶瓷靶材；

步骤二中，所述去离子水、分散剂和Ta₂O₅粉末的质量比为35～65、0.1～1.0和100。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤一中，所述Ta(OH)₅粉末的纯度4N，比表面积为50～100m²/g；

所述Ta₂O₅粉末的比表面积为5～25m²/g。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述分散剂为十八碳烯胺醋酸铵、顺-9-十八烯酸、聚乙二醇600中的一种。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的制备方法，其特征在于，步骤二中，研磨后的Ta₂O₅料浆的粒径小于等于0.5μm；

雾化造粒的工艺条件为：离心转速为12000～25000rpm，热风出风温度为100～130℃；

团化后的Ta₂O₅料浆的粒径为50～120μm。

5.根据权利要求1～3中任意一项所述的制备方法，其特征在于，步骤二中，所述模压的压力为300～600kg/cm²。

6.根据权利要求1～3中任意一项所述的制备方法，其特征在于，步骤二中，所述冷等静压的压力为240～300MPa，保压时间为5～20min。

7.根据权利要求1～3中任意一项所述的制备方法，其特征在于，步骤二中，所述常压氧气气氛烧结的工艺条件为：烧结温度为1200～1550℃，保温时间为3～12小时。

8.根据权利要求1～3中任意一项所述的制备方法，其特征在于，步骤二中，所述Ta₂O₅陶瓷靶材的相对密度≥99％。

9.一种Ta₂O₅陶瓷靶材，其特征在于，所述Ta₂O₅陶瓷靶材采用权利要求1～8中任意一项所述的制备方法得到的。