[发明专利]一种同时具有光热和光动力性能的二硫化钼基材料及其制法

权利要求书

1.一种同时具有光热和光动力性能的二硫化钼基材料，其特征在于：所述材料以二硫化钼纳米片作为载体，在二硫化钼纳米片表面通过半胱胺偶联TCPP，同时在二硫化钼纳米片表面通过硫辛酸偶联NH₂-PEG-TPP；

上述二硫化钼基材料采用如下方法制备而成，具体为：称取1g 块状的二硫化钼，分散在10mL含有1.025g的正丁基锂的己烷溶液中，在氮气保护下连续搅拌2天，过滤收集二硫化钼固体，将收集到的二硫化钼固体分散于水中，超声处理1h，超声处理后进行离心固液分离，离心后将收集的片状二硫化钼再次分散于水中，通过透析方式去除吸附在二硫化钼纳米片上的小分子杂质，得到二硫化钼水溶液；在二硫化钼水溶液中加入2 mol硫辛酸和2mol半胱胺，反应12h；反应后往混合物料中加入等当量的1-(3-二甲氨基丙基)-3-乙基碳二亚胺盐酸盐和N-羟基琥珀酰亚胺，加入2molTCPP和1mol NH₂-PEG-TPP，继续反应30 min；反应后将反应液于15000 rpm转速下离心分离，得到同时具有光热和光动力性能的二硫化钼基材料TCPP@MoS2-TPP；所述二硫化钼纳米片表面TCPP的负载量为二硫化钼纳米片质量的10~20%；所述二硫化钼纳米片表面NH₂-PEG-TPP的负载量为二硫化钼纳米片质量的5~6%；

使用TCPP@MoS2-TPP孵育MCF-7细胞，光照30min后少于5%的细胞存活。

2.根据权利要求1所述的同时具有光热和光动力性能的二硫化钼基材料，其特征在于：具有S晶格缺陷的二硫化钼纳米片通过化学吸附将半胱胺和硫辛酸吸附在其表面。

3.根据权利要求1所述的同时具有光热和光动力性能的二硫化钼基材料，其特征在于：所述二硫化钼纳米片的长度为200~400nm，宽度为200~400nm，厚度为2~10nm。