[发明专利]一种电解铜箔比表面积的测定方法

说明书

本发明公开了一种电解铜箔比表面积的测定方法，包括对电解铜箔表面进行粗化和固化处理；将经过粗化和固化处理的电解铜箔裁成平整样条；使用超景深显微镜对所述平整样条进行观测，利用3D成像功能，构建3D图形；截取一定面积的所述3D图形，检测所述3D图形的表面积和截面积数据。通过本发明的检测方法检测铜箔比表面积，将比表面积测定量化，可有效反应二次粗糙化铜粒的生长程度，晶粒结晶的致密度，减少了晶体生长缺陷的漏判。此方法检测的电解铜箔表面铜粒分布取得良好评价，并且铜箔剥离强度稳定易控。

技术领域

本发明涉及电解铜箔制造技术领域，具体来说，涉及一种电解铜箔比表面积的测定方法。

背景技术

随着5G通讯的不断发展，PCB今后的发展方向转向更精密高频高速材料。电子电路箔作为覆铜板和PCB生产的功能性基础材料，抗剥离性能作为电子电路箔的重要指标，电子电路铜箔也把研究方向转移到低轮廓铜箔的研究中。抗剥离性能反应铜箔与基材结合能力，抗剥离轻度过低，铜箔与基材附着力低，在PCB及CCL后续加工过程中，受到热冲击，会与板层分离，造成生产报废；抗剥离强度过高，会出现蚀刻不净的显现,实际生产中仅以粗糙度作为剥离强度性能的工艺调整依据，过于单一。

生箔经过粗化、固化工艺，增加铜箔表面的比表面积，单位面积晶粒生长一定程度上直接影响抗剥离性能,如何将电解铜箔的比表面积测定量化，减少晶体生长缺陷的漏判，从而更有益于铜箔性能的提升。

针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

针对相关技术中的上述技术问题，本发明提出一种电解铜箔比表面积的测定方法，能够解决上述问题。

为实现上述技术目的，本发明的技术方案是这样实现的：

一种电解铜箔比表面积的测定方法，包括对电解铜箔表面进行粗化和固化处理；将经过粗化和固化处理的电解铜箔裁成平整样条；使用超景深显微镜对所述平整样条进行观测，利用3D成像功能，构建3D图形；截取一定面积的所述3D图形，检测所述3D图形的表面积和截面积数据。

进一步的，所述电解铜箔为STD铜箔（普通铜箔）或HTE铜箔（高温高延展铜箔），所述铜箔厚度范围为6μm—105μm。

进一步的，所述STD铜箔粗化处理所使用粗化槽的进口电流为2500-4000 A，所述STD铜箔粗化处理所使用粗化槽的出口电流为700-1000A；所述HTE铜箔固化处理所使用固化槽的进口电流为2500-4000A，所述HTE铜箔固化处理所使用固化槽的出口电流为2000-2500A。

进一步的，所述平整样条的长度为100mm；平整样条的宽度为12.7mm。

进一步的，所述构建的3D图像，放大倍率选择1500倍，且经过倾斜校正，保证样品平整。

进一步的，所述截取一定面积的大小为100μm*100μm。

本发明的有益效果：通过本发明的检测方法检测铜箔比表面积，将比表面积测定量化，可有效反应二次粗糙化铜粒的生长程度，晶粒结晶的致密度，减少了晶体生长缺陷的漏判。此方法检测的电解铜箔表面铜粒分布取得良好评价，并且铜箔剥离强度稳定易控。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是根据本发明实施例所述的电解铜箔的方法流程图。

图2是根据本发明实施例所述的比表面积和抗剥离关系图。

具体实施方式