[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，包括分立的器件单元区，所述器件单元区包括多个沿纵向排列的子器件区；

凸起部，凸立于所述子器件区的衬底上，所述凸起部沿横向延伸；

沟道结构层，位于所述凸起部上且与所述凸起部间隔设置，所述沟道结构层包括一个或多个自下而上依次间隔设置的沟道层；

介电墙，沿所述纵向位于相邻的子器件区之间的衬底上，所述介电墙包括凸立于衬底上的介电墙主部以及沿纵向凸出于所述介电墙主部的介电墙凸出部，所述介电墙凸出部与所述沟道层的侧壁相接触；

栅极结构，位于各个子器件区上，横跨所述子器件区的沟道结构层的顶部且包围所述介电墙露出的沟道层；

源漏掺杂层，位于所述栅极结构两侧的凸起部上且与所述沟道结构层相接触。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底的材料包括单晶硅、锗、锗化硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓和镓化铟中的一种或多种；

所述凸起部的材料包括单晶硅、锗、锗化硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓和镓化铟中的一种或多种；

所述沟道层的材料包括单晶硅、锗、锗化硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓和镓化铟中的一种或多种；

所述介电墙的材料包括氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮氧化硅、碳氮化硅和碳氮硼化硅中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：隔离结构，位于所述凸起部侧部的衬底上；沿所述纵向，所述介电墙位于相邻的所述沟道结构层之间的隔离结构上。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿所述横向，所述栅极结构的侧壁相对于所述沟道层同一侧的侧壁缩进；所述栅极结构横跨所述沟道结构层的部分作为第一部分，所述栅极结构位于相邻的沟道层之间、或位于凸起部和与凸起部相邻的沟道层之间的部分作为第二部分；

所述半导体结构还包括：栅极侧墙，位于所述第一部分的侧壁上；内侧墙，沿所述横向位于所述第二部分与所述源漏掺杂层之间；

所述源漏掺杂层位于所述栅极结构和栅极侧墙两侧的凸起部上；

所述半导体结构还包括：层间介质层，位于所述栅极结构侧部的衬底上，且覆盖所述源漏掺杂层。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，被所述栅极结构包围的所述沟道层的拐角呈圆弧状。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介电墙凸出部的底壁相对于沟道层的底壁缩进，且所述介电墙凸出部的顶壁相对于沟道层的顶壁缩进。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述介电墙凸出部的底壁相对于沟道层的底壁缩进7.5纳米至15纳米；所述介电墙凸出部的顶壁相对于沟道层的顶壁缩进7.5纳米至15纳米；沿所述纵向，所述介电墙主部单侧侧壁相对于所述介电墙凸出部同一侧侧壁缩进7.5纳米至15纳米。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介电墙主部与介电墙凸出部为一体型结构。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：栅介质层，位于所述沟道层表面与所述栅极结构之间、以及位于所述介电墙与所述栅极结构之间；

所述栅介质层的材料包括氧化硅、掺氮氧化硅、HfO₂、ZrO₂、HfSiO、HfSiON、HfTaO、HfTiO、HfZrO、La₂O₃和Al₂O₃中的一种或多种；

所述栅极结构的材料包括TiN、TaN、Ti、Ta、TiAL、TiALC、TiSiN、W、Co、Al、Cu、Ag、Au、Pt和Ni中的一种或多种。