[发明专利]连接结构及其形成方法

权利要求书

1.一种连接结构，包括：

第一电介质层，设置在导电特征之上；

掺杂电介质层，设置在所述第一电介质层之上；以及

金属特征，设置在所述第一电介质层和所述掺杂电介质层中，其中，所述掺杂电介质层向所述金属特征施加压缩应力，其中，所述金属特征与所述导电特征、所述掺杂电介质层和所述第一电介质层接触，其中，所述金属特征的顶表面和所述掺杂电介质层的顶表面对准，其中，所述第一电介质层包括第一电介质材料，并且所述掺杂电介质层的至少一部分包括与所述第一电介质材料不同的第二电介质材料。

2.根据权利要求1所述的连接结构，其中，所述金属特征包括贵金属材料。

3.根据权利要求1所述的连接结构，其中，所述掺杂电介质层包括掺杂剂，其中，所述掺杂剂包括锗Ge、硅Si、氩Ar、氙Xe或氮N。

4.根据权利要求1所述的连接结构，其中，所述掺杂电介质层的底表面与所述第一电介质层接触。

5.根据权利要求1所述的连接结构，还包括：第二电介质层，设置在所述第一电介质层之上，其中，所述第二电介质层包括所述第二电介质材料，其中，所述第二电介质层没有所述掺杂电介质层的掺杂剂。

6.根据权利要求5所述的连接结构，其中，所述第二电介质层被设置在所述掺杂电介质层和所述第一电介质层之间。

7.根据权利要求1所述的连接结构，其中，所述掺杂电介质层包括：

第一部分，包括所述第一电介质材料；以及

第二部分，包括所述第二电介质材料。

8.一种连接结构，包括：

第一电介质层，设置在导电特征之上；

掺杂电介质层，设置在所述第一电介质层之上；

金属部分，设置在所述第一电介质层和所述掺杂电介质层中；以及

掺杂金属部分，设置在所述金属部分之上，其中，所述掺杂电介质层向所述掺杂金属部分施加压缩应力，所述掺杂金属部分的顶表面与所述掺杂电介质层的顶表面对准，所述掺杂金属部分的底表面高于所述掺杂电介质层的底表面，所述第一电介质层包括第一电介质材料，并且所述掺杂电介质层的至少一部分包括与所述第一电介质材料不同的第二电介质材料。

9.根据权利要求8所述的连接结构，其中，所述掺杂金属部分和所述金属部分包括相同的金属材料。

10.一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在导电特征之上形成电介质结构，其中，所述电介质结构包括暴露所述导电特征的一部分的开口；

用金属层填充所述开口；

在所述金属层中形成掺杂金属部分，并且在所述电介质结构中形成掺杂电介质层，其中，所述掺杂电介质层包括针对所述掺杂金属部分的压缩应力层，所述掺杂金属部分的顶表面与所述金属层的顶表面分离，其中，所述掺杂电介质层的顶表面与所述电介质结构的顶表面分离；以及

去除所述金属层的至少一部分和所述电介质结构的至少一部分以形成连接结构。