[发明专利]半导体结构及其制造方法、半导体器件

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体基板，具有相对设置的第一表面及第二表面；

硅通孔结构，贯穿所述半导体基板，所述硅通孔结构内填充有导电材料；

第一空气间隙，设置在所述硅通孔结构的外围，且沿垂直所述半导体基板的方向延伸，所述第一空气间隙具有第一开口，所述第一开口位于所述第一表面；

第二空气间隙，设置在所述硅通孔结构的外围，且沿垂直所述半导体基板的方向延伸，所述第二空气间隙具有第二开口，所述第二开口位于所述第二表面，所述第一空气间隙和所述第二空气间隙不连通。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在沿垂直所述半导体基板的方向上，所述第一空气间隙及所述第二空气间隙在所述半导体基板第一表面上的投影间隔设置。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在沿垂直所述半导体基板的方向上，所述第一空气间隙及所述第二空气间隙在所述半导体基板第一表面上的投影的端部相接。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在沿垂直所述半导体基板的方向上，所述第一空气间隙及所述第二空气间隙在所述半导体基板第一表面上的投影，以所述硅通孔结构在所述半导体基板第一表面上的投影所在的直线为轴对称设置。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一空气间隙为多个，在沿垂直所述半导体基板的方向上，所述第一空气间隙在所述半导体基板第一表面的投影间隔设置。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二空气间隙为多个，在沿垂直所述半导体基板的方向上，所述第二空气间隙在所述半导体基板第一表面的投影间隔设置。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一空气间隙和所述第二空气间隙为多个，在沿垂直所述半导体基板的方向上，所述第一空气间隙在所述半导体基板第一表面的投影与所述第二空气间隙在所述半导体基板第一表面的投影交替设置。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在沿垂直所述半导体基板的方向上，所述第一空气间隙的长度与所述第二空气间隙的长度相等。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体基板包括：衬底，具有相对设置的第一表面及第二表面；

第一介质层，设置在所述衬底的第一表面，以作为所述半导体基板的第一表面，所述第一开口设置在所述第一介质层上，所述第一空气间隙贯穿所述第一介质层，并延伸至所述衬底；

第二介质层，设置在所述衬底的第二表面，以作为所述半导体基板的第二表面，所述第二开口设置在所述第二介质层上，所述第二空气间隙贯穿所述第二介质层，并延伸至所述衬底。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第一空气间隙贯穿所述衬底。

11.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第二空气间隙贯穿所述衬底。

12.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括多个堆叠设置的半导体芯片，所述半导体芯片之间设置有至少一连接垫，相邻所述半导体芯片的硅通孔结构通过所述连接垫电连接。

13.一种半导体器件，其特征在于，包括多个如权利要求1至12任一项所述的半导体结构，且所述多个半导体结构通过所述各半导体结构包含的硅通孔结构电连接。