[发明专利]一种基于刻蚀压电薄膜的高机电耦合系数声表面波器件

权利要求书

1.一种声表面波器件，从下至上依次包括高声速衬底，部分刻蚀压电薄膜和顶电极。

2.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于：所述部分刻蚀压电薄膜的总厚度为h，刻蚀部分深度为d，刻蚀比例d/h为0＜d/h≤1。

3.根据权利要求1或2所述的声表面波器件，其特征在于：所述顶电极为叉指电极，对叉指之间压电薄膜进行部分刻蚀；

所述顶电极的厚度为t₁；

所述顶电极的宽度和未刻蚀压电薄膜的宽度保持一致为w；

金属化比为2w/λ，0.1≤2w/λ≤0.9；

顶电极归一化厚度为t₁/λ，0＜t₁/λ≤0.3；具体可为0.01≤t₁/λ≤0.13；

压电薄膜归一化厚度为h/λ，0＜h/λ≤3；具体可为0.5≤h/λ≤1；

所述λ为声表面波的波长；

所述声表面波的波长λ为1μm≤λ≤5μm；具体可为2μm。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的声表面波器件，其特征在于：所述叉指之间压电薄膜的刻蚀形状为柱状，具体可为长方柱；

压电薄膜的刻蚀部分紧挨顶电极一侧。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的声表面波器件，其特征在于：所述高声速衬底和所述部分刻蚀压电薄膜之间增加底电极；

具体的，所述底电极的材料为以下一种金属或者两种金属的二元合金：Al、Cu、Pt、Mo、W、Ni。

6.根据权利要求5所述的声表面波器件，其特征在于：所述底电极的厚度为t₂，底电极归一化厚度为t₂/λ，0＜t₂/λ≤0.3，具体可为0.01≤t₂/λ≤0.1。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的声表面波器件，其特征在于：所述高声速衬底为碳化硅基片，蓝宝石基片或金刚石基片；

所述顶电极的材料为以下一种金属或者两种金属的二元合金：Al、Cu、Pt、Mo、W、Ni。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的声表面波器件，其特征在于：所述部分刻蚀压电薄膜为氧化锌薄膜或掺杂氧化锌薄膜；

所述掺杂氧化锌薄膜的掺杂元素为Cr、Fe或V。

9.权利要求1-8中任一项所述的声表面波器件在制备滤波器中的应用。