[发明专利]用于执行数据总线反相操作的电子设备在审

专利信息
申请号: 202110368252.X 申请日: 2021-04-06
公开(公告)号: CN114546923A 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 高仁成 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G06F13/42 分类号: G06F13/42
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 黄倩
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 执行 数据 总线 操作 电子设备
【说明书】:

本公开的实施例涉及用于执行数据总线反相操作的电子设备。一种电子设备包括:第一数据处理电路,该第一数据处理电路被配置为检测在第一数据中所包括的位的逻辑电平,并且当第一数据中具有预定逻辑电平的位的数目等于或大于预设数目时,通过使第一数据的逻辑电平反相来生成第一内部数据;以及第二数据处理电路,该第二数据处理电路被配置为检测在第二数据中所包括的位的逻辑电平,并且当第二数据中具有预定逻辑电平的位的数目等于或大于预设数目时,通过使第二数据的逻辑电平反相来生成第二内部数据。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年11月24日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2020-0159350的优先权,其通过引用全部并入本文。

技术领域

本公开的实施例总体上涉及一种电子设备,当数据中具有预定逻辑电平的位的数目等于或大于预设数目时,该电子设备执行数据总线反相操作。

背景技术

在包括半导体设备的电子设备中,随着在从控制器传输的数据的位中的与先前时间相比其相位改变的位的数目增加,则同步切换噪声(SSN)现象和符号间干扰(ISI)现象的发生也增加。因此,当在所传输的数据的位中包括与先前时间相比其相位改变的许多位时,半导体设备通过使用使数据反相并且传输经反相的数据的数据总线反相(DBI)操作来减少SSN现象和ISI现象的发生。

发明内容

在实施例中,电子设备可以包括第一数据处理电路以及第二数据处理电路,该第一数据处理电路被配置为检测在第一数据中所包括的位的逻辑电平,并且当第一数据中具有预定逻辑电平的位的数目等于或大于预设数目时,通过使第一数据的逻辑电平反相来生成第一内部数据;该第二数据处理电路被配置为检测在第二数据中所包括的位的逻辑电平,并且当第二数据中具有预定逻辑电平的位的数目等于或大于预设数目时,通过使第二数据的逻辑电平反相来生成第二内部数据。

在实施例中,电子设备可以包括控制电路以及数据处理电路,该控制电路被定位在外围区域中,并且被配置为生成数据反相使能信号,该数据反相使能信号在写入操作和读取操作中被使能以控制对数据和内部数据的数据总线反相操作;该数据处理电路被定位在存储器区域中,被配置为当数据反相使能信号在写入操作中被使能时基于检测从外部输入的数据中具有预定逻辑电平的位的数目的结果来存储通过使数据的逻辑电平反相或不反相而生成的内部数据,被配置为当数据反相使能信号在读取操作中被使能时基于检测在内部所存储的内部数据中具有预定逻辑电平的位的数目的结果通过使内部数据的逻辑电平反相或不反相来生成数据,并且被配置为将数据输出到外部。

在实施例中,电子设备可以包括控制器以及半导体设备,该控制器被配置为通过第一传输线输出第一数据,并且通过第二传输线输出第二数据;该半导体设备被配置为:当第一数据中具有预定逻辑电平的位的数目等于或大于预设数目时存储通过使第一数据的逻辑电平反相而生成的第一内部数据,并且当第二数据中具有预定逻辑电平的位的数目等于或大于预设数目时存储通过使第二数据的逻辑电平反相而生成的第二内部数据。

附图说明

图1是图示了根据本公开的实施例的电子设备的配置的框图。

图2是图示了图1所图示的电子设备中所包括的半导体设备的配置的框图。

图3是图示了在图2所图示的半导体设备中所包括的第一数据处理电路的配置的框图。

图4是图示了在图3所图示的第一数据处理电路中所包括的数据检测电路的配置的框图。

图5是图示了在图4所图示的数据检测电路中所包括的第一检测电路的配置的框图。

图6是图示了在图5所图示的第一检测电路中所包括的第一计数器的配置的电路图。

图7是图示了在图5所图示的第一检测电路中所包括的预检测信号生成电路的配置的框图。

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