[发明专利]背光驱动电路、驱动方法及背光模组有效

专利信息
申请号: 202110367196.8 申请日: 2021-04-06
公开(公告)号: CN113129844B 公开(公告)日: 2022-08-23
发明(设计)人: 胡道兵;徐洪远 申请(专利权)人: TCL华星光电技术有限公司
主分类号: G09G3/34 分类号: G09G3/34
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 裴磊磊
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 背光 驱动 电路 方法 模组
【权利要求书】:

1.一种背光驱动电路,其特征在于,包括发光器件和驱动模块,所述驱动模块包括开关器件和驱动器件,所述开关器件与所述发光器件连接,所述开关器件用于控制所述发光器件的通断,所述驱动器件与所述开关器件连接;

所述开关器件包括开关MOS管,所述驱动器件用于控制所述开关MOS管的工作电压满足预先设定的条件,在所述预先设定的条件下,所述开关MOS管工作在开关MOS管的线性区,所述开关MOS管的工作电压包括所述开关MOS管的阈值电压、栅极电压、栅-源极节点电压和源-漏极节点电压;

所述预先设定的条件包括:

所述开关MOS管的栅-源极节点电压大于所述开关MOS管的阈值电压,且所述开关MOS管的源-漏极节点电压小于过驱动电压,所述过驱动电压为所述开关MOS管的栅-源极节点电压与所述开关MOS管的阈值电压的电压差值;

所述预先设定的条件还包括:

所述开关MOS管的阈值电压满足以下条件:所述开关MOS管的阈值电压浮动1V时,所述开关MOS管的漏极处的电阻变化值小于1%,所述电阻变化值为(R1-R2)/R1,其中,R1为所述开关MOS管在开关MOS管的阈值电压浮动前的电阻,R2为所述开关MOS管在开关MOS管的阈值电压浮动后的电阻。

2.如权利要求1所述的背光驱动电路,其特征在于,所述驱动器件包括驱动薄膜晶体管、驱动MOS管或驱动传输门。

3.如权利要求1所述的背光驱动电路,其特征在于,所述驱动模块包括第一开关器件、第一驱动器件和第一储能电容,所述第一开关器件包括第一MOS管,所述第一驱动器件包括第一薄膜晶体管;

所述第一驱动器件用于控制所述第一MOS管的工作电压满足预先设定的条件,在所述预先设定的条件下,所述第一MOS管工作在第一MOS管的线性区,所述第一MOS管的工作电压包括所述第一MOS管的阈值电压、栅极电压、栅-源极节点电压和源-漏极节点电压。

4.如权利要求1所述的背光驱动电路,其特征在于,所述驱动模块包括第二开关器件、第二驱动器件、第三驱动器件和第二储能电容,所述第二开关器件包括第二MOS管,所述第二驱动器件包括第二薄膜晶体管,第三驱动器件包括第三薄膜晶体管;

所述第二驱动器件和所述第三驱动器件用于控制所述第二MOS管的工作电压满足预先设定的条件,在所述预先设定的条件下,所述第二MOS管工作在第二MOS管的线性区,所述第二MOS管的工作电压包括所述第二MOS管的阈值电压、栅极电压、栅-源极节点电压和源-漏极节点电压。

5.如权利要求1所述的背光驱动电路,其特征在于,所述驱动模块包括第三开关器件、第四驱动器件、第五驱动器件、第六驱动器件、第七驱动器件、第八驱动器件和第三储能电容,所述第三开关器件包括第五MOS管,所述第四驱动器件包括第四薄膜晶体管,第五驱动器件包括第五薄膜晶体管,第六驱动器件包括第六薄膜晶体管,第七驱动器件包括第七薄膜晶体管,第八驱动器件包括第八薄膜晶体管;

所述第四驱动器件、所述第五驱动器件、所述第六驱动器件、所述第七驱动器件、所述第八驱动器件用于控制所述第五MOS管的工作电压满足预先设定的条件,在所述预先设定的条件下,所述第五MOS管工作在第五MOS管的线性区,所述第五MOS管的工作电压包括所述第五MOS管的阈值电压、栅极电压、栅-源极节点电压和源-漏极节点电压。

6.如权利要求1所述的背光驱动电路,其特征在于,所述发光器件包括Mini-LED、Micro-LED或OLED。

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