[发明专利]一种双向幅值限制的单管脚晶体振荡器电路

权利要求书

1.一种双向幅值限制的单管脚晶体振荡器电路，其特征在于，包括与供电模块电连接的振荡模块、第一限幅模块及第二限幅模块；所述振荡模块的第一振荡节点与所述第一限幅模块电连接，所述振荡模块的第二振荡节点与所述第二限幅模块电连接；所述第一限幅模块用于对所述第一振荡节点的幅值作第一幅值限定，所述第二限幅模块用于对第二振荡节点的幅值作第二幅值限定；

所述供电模块包括分别与电源输出端电连接的第一电流源、第二电流源及第三电流源；

所述第一限幅模块包括第一限幅单元及第二限幅单元；

所述第一限幅单元包括第一NMOS管及第二NMOS管；

所述第一NMOS管的漏端和栅端均与所述第一电流源的输出端电连接，所述第二NMOS管的栅端与所述第一NMOS管的栅端电连接，所述第一NMOS管的源端和体端及第二NMOS管的漏端及体端接地，所述第二NMOS管的源端与所述第一振荡节点电连接。

2.根据权利要求1所述的双向幅值限制的单管脚晶体振荡器电路，其特征在于，所述振荡模块包括PMOS管、晶体、偏置电阻、第一电容及第二电容；

所述PMOS管的源端和体端均与所述第三电流源的输出端、所述第一电容的第二端及所述第二电容的第一端电连接，所述第一电容的第一端、所述偏置电阻的第二端及所述PMOS管的栅端与所述晶体的第一端电连接，所述晶体的第二端、所述PMOS管的漏端及所述第二电容的第二端接地。

3.根据权利要求2所述的双向幅值限制的单管脚晶体振荡器电路，其特征在于，所述偏置电阻的第二端、所述PMOS管的栅端与所述晶体的第一端形成所述振荡模块的第一振荡节点，所述第一电容的第二端、所述第二电容的第一端与所述PMOS管的源端形成所述振荡模块的第二振荡节点。

4.根据权利要求1所述的双向幅值限制的单管脚晶体振荡器电路，其特征在于，所述第二限幅单元包括第三NMOS管；

所述第三NMOS管的漏端及偏置电阻的第一端分别与所述第二电流源的输出端电连接，所述第三NMOS管的源端和体端接地。

5.根据权利要求1所述的双向幅值限制的单管脚晶体振荡器电路，其特征在于，所述第二限幅模块包括第四NMOS管及第五NMOS管；

所述第五NMOS管的栅端与所述第一振荡节点电连接，第五NMOS管的漏端与所述第二振荡节点电连接，所述第五NMOS管的源端与所述第四NMOS管的栅端和漏端电连接，所述第五NMOS管的体端及所述第四NMOS管的体端和源端接地。

6.根据权利要求1所述的双向幅值限制的单管脚晶体振荡器电路，其特征在于，所述供电模块包括与PMOS电流镜电连接的基准电流源及电源。

7.根据权利要求6所述的双向幅值限制的单管脚晶体振荡器电路，其特征在于，所述PMOS电流镜包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管及第四PMOS管，所述第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管及第四PMOS管的源端作为输入端与所述电源电连接，漏端作为输出端，栅极相互连接。