[发明专利]一种紫外LED及其制作方法

说明书

本申请实施例公开了一种紫外LED及其制作方法，该紫外LED包括：基底、发光层，所述发光层包括至少一个层叠单元，所述层叠单元包括量子垒单元和量子阱单元，所述量子垒单元包括层叠的第一量子垒层、第一应力平衡层、第二量子垒层，所述量子阱单元包括层叠的第一量子阱层、第二应力平衡层、第二量子阱层；其中，所述第一应力平衡层的晶格常数大于所述第一量子垒层和所述第二量子垒层的晶格常数，所述第二应力平衡层的晶格常数大于所述第一量子阱层和所述第二量子阱层的晶格常数，能够平衡位于所述第一量子阱层下方的所述第二量子垒层对所述第一量子阱层的压应力，降低所述第一量子阱层中的量子限制斯塔克效应，提高所述紫外LED的发光效率。

技术领域

本申请涉及LED技术领域，尤其涉及一种紫外LED及其制作方法。

背景技术

21世纪初，随着LED固体光源技术的发展，紫外LED(UV LED)进入了LED照明时代，成为了一种非常重要的紫外光光源。与传统的汞灯和氙灯等气体紫外光源相比，紫外LED具有超长寿命、冷光源、无热辐射、寿命不受开关次数影响、能量高、照射均匀、效率高、不含有毒物质、环保以及能够实现设备小型化等强大的优势，使得人们对于紫外LED的技术研发具有浓厚的兴趣，促使了紫外LED的快速发展。

并且，随着紫外LED的发展，紫外LED的应用场景也在不断变化，使得人们对于紫外LED的发光效率的要求也在逐渐提高。除此之外，还由于水俣公约的生效，从2020年开始全面禁止生产以及进出口含汞制品，限制了传统汞灯的生产和使用，导致紫外LED作为紫外光源的需求端口进一步扩大，进一步加大了人们对于高发光效率的紫外LED的需求。因此，提供一种具有较高发光效率的紫外LED成为了本领域技术人员的研究重点。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种紫外LED，该紫外LED具有较高的发光效率。

为解决上述问题，本申请实施例提供了如下技术方案：

一种紫外LED，该紫外LED包括：

基底；

位于所述基底上的发光层，所述发光层包括至少一个层叠单元，所述层叠单元包括层叠的量子垒单元和量子阱单元，所述量子垒单元包括层叠的第一量子垒层、第一应力平衡层、第二量子垒层，所述量子阱单元包括层叠的第一量子阱层、第二应力平衡层、第二量子阱层；

其中，所述第一应力平衡层的晶格常数大于所述第一量子垒层的晶格常数和所述第二量子垒层的晶格常数，所述第二应力平衡层的晶格常数大于所述第一量子阱层的晶格常数和所述第二量子阱层的晶格常数。

可选的，所述第一应力平衡层的禁带宽度小于所述第一量子垒层的禁带宽度和所述第二量子垒层的禁带宽度，所述第二应力平衡层的禁带宽度小于所述第一量子阱层的禁带宽度和所述第二量子阱层的禁带宽度。

可选的，所述发光层包括2～12个所述层叠单元。

可选的，所述第一应力平衡层为In_xGa_1-xN层，所述第二应力平衡层为In_xGa_1-xN层，其中，0x1；或，所述第一应力平衡层为GaN层，所述第二应力平衡层为GaN层。

可选的，所述第一应力平衡层为空穴掺杂层。

可选的，所述第一应力平衡层为Mg掺杂层。

可选的，所述第一应力平衡层中的掺杂浓度的取值范围为5E17/cm³～5E19/cm³。

一种紫外LED的制作方法，该制作方法包括：

提供一基底；