[发明专利]一种分光光度检测传感器

权利要求书

1.一种分光光度检测传感器，包括相互键合的硅基片(1)与玻璃基片(2)，玻璃基片(2)覆盖在所述硅基片(1)上面，硅基片(1)的贴合面与底面均为经刻蚀加工形成的开槽结构，其特征在于，在硅基片(1)贴合面开设检测通道槽(3)，玻璃基片(2)开设有：至少1个连通检测通道槽(3)的用于向检测通道槽(3)注液的进液通道，至少1个连通检测通道槽(3)的用于向外排液的出液通道；所述硅基片(1)的底面，在检测通道槽(3)起始侧对应位置处开设进光槽(4)，在检测通道槽(3)终了侧对应位置处开设出光槽(5)；检测通道槽(3)起始侧与硅基片(1)底面进光槽(4)之间开设打穿硅基片(1)的第一透光缝隙(6)；检测通道槽(3)终了侧与硅基片(1)底面出光槽(5)之间开设打穿硅基片(1)的第二透光缝隙(7)；所述硅基片(1)底面的进光槽(4)旁开设光源槽(8)与参考槽(9)，所述进光槽(4)开设连接槽(10)，光源槽(8)与参考槽(9)也分别开设连接槽(10)并与进光槽(4)的连接槽(10)相连接；所述光源槽(8)、参考槽(9)、各连接槽(10)、进光槽(4)、第一透光缝隙(6)至检测通道槽(3)起始侧为止形成光源光通道腔，所述出光槽(5)、第二透光缝隙(7)至检测通道槽(3)终了侧为止形成信号光通道腔，光源光通道腔与信号光通道腔均充满经液体灌注后固化而成的光波导(11)，所述光波导(11)在检测通道槽(3)起始侧与终了侧分别形成相对的侧壁(12)；所述硅基片(1)底面在光源槽(8)、参考槽(9)及出光槽(5)所在处分别设置检测光源、参考光源及用于进行光电转换的光电探测器。

2.如权利要求1所述的分光光度检测传感器，其特征在于，所述光波导(11)在硅基片(1)贴合面上的检测通道槽(3)起始侧、终了侧的侧壁(12)为呈凸起圆弧形的聚光壁，形成凸透镜。

3.如权利要求1所述的分光光度检测传感器，其特征在于，所述硅基片(1)贴合面上分别开设待测液接口(13)与指示剂接口(14)，所述玻璃基片(2)在待测液接口(13)与指示剂接口(14)所在对应位置分别开设待测液注入通孔(15)与指示剂注入通孔(16)；所述待测液接口(13)与指示剂接口(14)之间开设汇合槽(17)，汇合槽(17)与所述检测通道槽(3)之间开设混合通道(18)。

4.如权利要求3所述的分光光度检测传感器，其特征在于，所述混合通道(18)呈S形行进的形状。

5.如权利要求1所述的分光光度检测传感器，其特征在于，所述玻璃基片(2)开设有2个连通检测通道槽(3)的用于向外排液的出液通道，具体为：所述硅基片(1)贴合面在其检测通道槽(3)两端旁分别开设2个连接检测通道槽(3)的废液池(19)，所述玻璃基片(2)在2个废液池(19)对应处分别开设2个与外界相通的废液通孔(20)。

6.如权利要求1所述的分光光度检测传感器，其特征在于，所述光源槽(8)与参考槽(9)分别对称设置在进光槽(4)的斜上方与斜下方，三者及其连接槽(10)呈Y形布置。

7.如权利要求1所述的分光光度检测传感器，其特征在于，所述光源槽(8)为2个，分别对称设置在进光槽(4)的斜上方与斜下方，参考槽(9)沿进光槽(4)的连接槽(10)水平方向设置在硅基片(1)的外侧。

8.如权利要求1所述的分光光度检测传感器，其特征在于，所述硅基片(1)与玻璃基片(2)为同样大小的呈长方形的薄片块，硅基片(1)为400 um至450 um厚度的薄片块，硅基片(1)的贴合面开槽深度为其总厚度的二分之一，硅基片(1)的底面开槽深度为其总厚度的四分之一，所述第一透光缝隙(6)、第二透光缝隙(7)的深度也为其总厚度的四分之一。

9.如权利要求1所述的分光光度检测传感器，其特征在于，对成型后的所述硅基片(1)的内腔壁进行氧化处理，形成的氧化硅层作为其内部光波导(11)的光疏层(21)。

10.如权利要求1至9任一项所述的分光光度检测传感器，其特征在于，所述光波导(11)的材料为SU-8聚合物，所述检测光源选用固定波长的LED发光器或闪烁氙灯裸灯，参考光源也选用固定波长的LED发光器或闪烁氙灯裸灯，所述光电探测器选用光敏管或光电二极管。