[发明专利]一种有源像素图像传感器及显示装置在审
申请号: | 202110359176.6 | 申请日: | 2021-04-02 |
公开(公告)号: | CN113013189A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 贺家煜;宁策;李正亮;胡合合;姚念琦;赵坤;黄杰;雷利平;刘雪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 刘红彬 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有源 像素 图像传感器 显示装置 | ||
1.一种有源像素图像传感器,其特征在于,包括:衬底、PIN功能层、驱动薄膜晶体管、复位薄膜晶体管以及开关薄膜晶体管,所述驱动薄膜晶体管、所述复位薄膜晶体管以及所述开关薄膜晶体均管形成于所述衬底,所述PIN功能层位于所述开关薄膜晶体管背离所述衬底一侧,且所述开关薄膜晶体管与所述PIN功能层电连接,用以控制所述PIN功能层;所述驱动薄膜晶体管、所述复位薄膜晶体管以及所述开关薄膜晶体管中的每个薄膜晶体管均包括层叠设置的栅极、栅绝缘层和有源层;
其中,所述驱动薄膜晶体管内的有源层至少包括第一子有源层,所述第一子有源层的制备材料为氧化物材料,且所述第一子有源层的制备材料的载流子体浓度范围为1*10E20-1*10E21,载流子霍尔迁移率的范围为25~50cm2/Vs;
所述复位薄膜晶体管内的有源层制备材料为氧化物材料。
2.根据权利要求1所述的有源像素图像传感器,其特征在于,所述驱动薄膜晶体管内的有源层还包括与所述第一子有源层层叠设置的第二子有源层,所述第二子有源层形成于所述第一子有源层背离所述栅极一侧,且所述第二子有源层的导带大于与所述第一子有源层的导带,所述第二子有源层的费米能级大于所述第一子有源层的费米能级。
3.根据权利要求2所述的有源像素图像传感器,其特征在于,所述驱动薄膜晶体管内的有源层还包括与所述第二子有源层层叠设置的第三子有源层,所述第三子有源层形成于所述第二子有源层背离所述第一子有源层一侧,且所述第三子有源层为刻蚀阻挡层。
4.根据权利要求1-3任一项所述的有源像素图像传感器,其特征在于,所述驱动薄膜晶体管、所述复位薄膜晶体管以及所述开关薄膜晶体管中的每个薄膜晶体管内栅极设于所述有源层靠近所述衬底一侧。
5.根据权利要求4所述的有源像素图像传感器,其特征在于,所述PIN功能层具有用于感光的窗口区域,所述有源像素图像传感器还包括:
形成于所述开关薄膜晶体管以及所述PIN功能层背离所述衬底一侧的覆盖层,所述覆盖层在所述衬底的垂直投影与所述窗口区域在所述衬底的垂直投影无交叠;
形成于所述覆盖层背离所述衬底一侧的树脂层,所述树脂层在所述衬底的垂直投影与所述窗口区域在所述衬底的垂直投影无交叠;
形成于所述树脂层背离所述覆盖层一侧的钝化层,所述钝化层在所述衬底的垂直投影与所述窗口区域在所述衬底的垂直投影无交叠;
位于所述钝化层背离所述树脂层一侧的阻隔层,所述阻隔层覆盖所述PIN功能层的窗口区域。
6.根据权利要求5所述的有源像素图像传感器,其特征在于,所述PIN功能层包括透明导电层,所述有源像素图像传感器还包括形成于所述钝化层背离所述树脂层一侧的导电层,所述导电层延伸至所述PIN功能层的窗口区域、且与所述透明导电层电连接。
7.根据权利要求1-3任一项所述的有源像素图像传感器,其特征在于,所述驱动薄膜晶体管、所述复位薄膜晶体管以及所述开关薄膜晶体管中的每个薄膜晶体管内的栅极设于所述有源层远离所述衬底一侧。
8.根据权利要求7所述的有源像素图像传感器,其特征在于,所述PIN功能层具有用于感光的窗口区域,所述PIN功能层包括透明导电层,所述有源像素图像传感器还包括:
形成于所述开关薄膜晶体管以及所述PIN功能层背离所述衬底一侧的覆盖层,所述覆盖层在所述衬底的垂直投影与所述窗口区域在所述衬底的垂直投影无交叠;
形成于所述覆盖层背离所述衬底一侧的树脂层,所述树脂层在所述衬底的垂直投影与所述窗口区域在所述衬底的垂直投影无交叠;
形成于所述树脂层背离所述覆盖层一侧的导电层,所述导电层覆盖所述窗口区域,且所述导电层与所述PIN功能层内的透明导电层电连接;
位于所述导电层背离所述树脂层一侧的像素界定层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的