[发明专利]一种背面预蚀的封装结构的封装工艺

权利要求书

1.一种背面预蚀的封装结构的封装工艺，其特征在于，其封装工艺方法包括如下步骤：

步骤一、取金属基板；

步骤二、金属基板表面预镀铜层；

步骤三、光刻作业

在步骤二的金属基板正面及背面贴覆或印刷可进行曝光显影的光阻材料，并利用曝光显影设备对金属基板表面的光阻材料进行曝光、显影与去除部分光阻材料；

步骤四、化学蚀刻

对步骤三中金属基板的正面和背面完成曝光显影的区域进行化学蚀刻，正面和背面同时进行蚀刻，背面按照产品需求蚀刻出固定的形状和深度；

步骤五、电镀金属线路层

在步骤四中化学蚀刻后的金属基板的正面与管脚相对应的位置电镀一层金属线路层，形成相应的基岛和引脚；

步骤六、装片

在步骤五形成的基岛正面植入芯片，在基岛正面涂覆导电或是不导电的粘结物质后将芯片与基岛接合，在芯片正面与引脚正面之间进行键合金属线作业；

步骤七、塑封

在步骤六中的装有芯片的金属基板的一面采用塑封料进行塑封；

步骤八、背面蚀刻

在步骤七中塑封后的金属基板的背面进行化学蚀刻，把除了引脚外多余的金属蚀刻掉；

步骤九、电镀金属层

在经过步骤八的背面蚀刻后的含有外管脚的金属基板的背面电镀金属层；

步骤十、切割成品。

2.根据权利要求1所述的一种背面预蚀的封装结构的封装工艺，其特征在于：在步骤八和步骤九之间增加一个步骤：在经过步骤八背面蚀刻的金属基板的背面涂覆一层绝缘层。

3.根据权利要求1所述的一种背面预蚀的封装结构的封装工艺，其特征在于：步骤二中的铜层厚度在2~10微米。

4.根据权利要求1所述的一种背面预蚀的封装结构的封装工艺，其特征在于：步骤五中的金属线路层材料可以是铜、铝、镍、银、金、铜银、镍金、镍钯金，可以导电的金属物质都可以使用，并不局限铜、铝、镍、银、金、铜银、镍金、镍钯金等金属材料，电镀方式可以是化学沉积或是电解电镀方式。

5.根据权利要求1所述的一种背面预蚀的封装结构的封装工艺，其特征在于：步骤七中采用的塑封方式可以采用模具灌胶方式、喷涂设备喷涂方式或是用贴膜方式；所述塑封料可以采用有填料物质或是无填料物质的环氧树脂。

6.根据权利要求1所述的一种背面预蚀的封装结构的封装工艺，其特征在于：步骤九中的金属线路层材料可以是锡。