[发明专利]双介质调制靶及其制备方法有效
| 申请号： | 202110358490.2 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN113096833B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 吴小军;童维超;徐嘉靖;何智兵;尹强;苏琳;李娃;朱方华;张伟;张超;汤楷 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
| 主分类号： | G21B1/19 | 分类号： | G21B1/19;G21B1/11 |
| 代理公司： | 石家庄领皓专利代理有限公司 13130 | 代理人： | 何鑫鑫 |
| 地址： | 621000*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介质 调制 及其 制备 方法 | ||
1.一种双介质调制靶的制备方法，其特征在于，制备方法包括如下步骤：
第一介质调制层的制备步骤，通过浇注成型使含有第一介质的第一溶液成膜，以得到表面具有调制图形的第一介质调制层；
熏蒸处理的步骤，通过环己烷对第一介质调制层的具有调制图形的表面进行熏蒸处理；
第二介质调制层的制备步骤，通过热压复合将第二介质层叠到第一介质调制层的具有调整图形的表面，以得到表面具有调制图形的第二介质调制层；以及
真空烘烤的步骤，对制得的第一介质调制层和第二介质调制层进行真空烘烤，
第一介质调制层的密度与第二介质调制层的密度的比为5:1-15:1，
第一介质为聚苯乙烯，第二介质为聚4-甲基-1-戊烯泡沫，
第一溶液和第二溶液中的溶剂均是环己烷。
2.根据权利要求1的制备方法，其特征在于，熏蒸处理的时间为5s-15s，温度为40℃-60℃。
3.根据权利要求1的制备方法，其特征在于，在真空烘烤的步骤中，真空压力小于10Pa，烘烤温度为70℃-90℃，烘烤时间为2h-12h。
4.根据权利要求1至3中任一项的制备方法，其特征在于，浇注成型的时间为12h-18h，温度为20℃-30℃。
5.根据权利要求4的制备方法，其特征在于，热压复合的温度为60℃-90℃，压力为5N-20N，时间为4h-8h。
6.根据权利要求1的双介质调制靶，其特征在于，第一介质的重均分子量为2.0×105g/mol-5.0×105g/mol，
第二介质的密度小于120mg/cm3。
7.根据权利要求1或6的双介质调制靶，其特征在于，第一介质调制层的厚度为10μm-25μm，
第二介质调制层的厚度≤100μm。
8.根据权利要求7的双介质调制靶，其特征在于，第二介质调制层的厚度在70μm-100μm的范围。
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