[发明专利]一种基于TSV宽带帯阻滤波器

说明书

本发明公开了一种基于TSV宽带帯阻滤波器，包括重布线层，重布线层的底部连接有硅通孔组件，重布线层的两端分别设置有输出端和输入端。解决了现有技术中存在的滤波器体积大的问题。

技术领域

本发明属于三维集成电路技术领域，涉及一种基于TSV宽带帯阻滤波器。

背景技术

带阻滤波器广泛用于无线通信系统中,用来抑制高功率发射机的杂散输出及非线性功放或带通滤波器产生的寄生通带等。传统的带阻滤波器若用带状线来实现,一般采用电容耦合1/4波长短截线谐振器构成,两谐振器间的间隔也是1/4波长,导致尺寸过大,很难符合滤波器小型化要求。由四分之一波长的短截线所组成的常见的微波带阻滤波器，它们是带阻滤波器准确设计方法最成功和最直接的应用。带阻滤波器常用于指定频段中窄带信号需要高衰减的地方，例如高功率放大器饱和输出的二次谐波。带阻滤波器优化其阻带特性时，其阻带设计不会在通带内产生寄生信号。数字微波部件中的双工器和开关等也包含带阻滤波器，射频微波组件存在着一定的电磁泄漏，对于设备的电磁干扰和电磁兼容存在着严重的挑战。

因此，在很多的系统测试过程中，为了实现更好的性能，往往需要用到带阻滤波器。在带阻滤波器的传统设计过程中，针对高方向性、强耦合的带阻滤波器，一般通过几个独立的单腔跟传输线之间的耦合来实现带阻的功能，这样不仅增加了设计成本，而且在有限可用的系统设备分配空间也是不允许的。因此，设计结构紧凑、高性能的小型化宽带带阻滤波器成为研究的热点。由于TSV良好的互连性提高了帯阻滤波器的性能和设计的可靠性。并且TSV可以使结构紧凑，所占面积更小。

发明内容

本发明的目的是提供一种基于TSV宽带帯阻滤波器，解决了现有技术中存在的滤波器体积大的问题。

本发明所采用的技术方案是，一种基于TSV宽带帯阻滤波器，包括重布线层，所述重布线层的底部连接有硅通孔组件，所述重布线层的两端分别设置有输出端和输入端。

本发明的特点还在于：

重布线层的底部设置有互联建，互联建的一端连接重布线层，互联建的另一端连接硅通孔组件。

硅通孔组件包括硅通孔a、硅通孔b、硅通孔c、硅通孔d，硅通孔a、硅通孔b、硅通孔c、硅通孔d的位置均相互对称，硅通孔a、硅通孔b、硅通孔c、硅通孔d的结构相同。

硅通孔a包括金属芯层，所述金属芯层的外壁设置有介质层，所述硅通孔a、硅通孔b、硅通孔c、硅通孔d均设置在硅材料层上。

介质层为二氧化硅材料。。

本发明的有益效果是：本发明一种基于TSV宽带帯阻滤波器，解决了现有技术中存在的滤波器体积大的问题。采用同轴型硅通孔实现替代四分之一波长的短截线，相对于普通的平面结构宽带带阻滤波器，大大缩小了宽带带阻滤波器所占面积，将器件尺寸缩小到微米量级，不仅可以提高电路的集成度，而且节约成本。

附图说明

图1是本发明一种基于TSV宽带帯阻滤波器的结构示意图；

图2是本发明一种基于TSV宽带帯阻滤波器的A处放大图；

图3是本发明一种基于TSV宽带帯阻滤波器中硅通孔的结构示意图。

图中，1.输入端，2.输出端，3.重布线层，4.硅通孔a，5.硅通孔b，6.硅通孔c，7.硅通孔d，8.互连键，9.金属芯层，10.介质层，11.硅材料层。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明。