[发明专利]一种应用于数字温度传感器系统非线性误差的校正方法

说明书

本发明公开了一种应用于数字温度传感器系统非线性误差的校正方法，该方法在基于FDC的数字温度传感器结构的基础上增加了校正模块，通过先对传感器芯片进行预校正得到两点校正信息以及多项式拟合的系数，将系数于存储器中供温度传感器芯片正常工作时调用。芯片正常工作时，温度传感器芯片输出数字编码，微处理器调用存储器中的校正系数对输出编码进行运算处理，消除工艺偏差以及系统非线性误差。因此，本发明方法具有普适性，具有相似的非线性温度传感器均可以参考应用。

技术领域

本发明属于温度传感器校正技术领域，具体涉及一种应用于数字温度传感器系统非线性误差的校正方法。

背景技术

目前，市场对于高性能低功耗的温度传感器需求越来越大，大量应用于VLSI芯片和SoC中的功耗控制、具有内置传感器的单芯片系统和微型系统中的热补偿、自动制造工厂的环境温度监控器，诸如汽车和家用电子产品之类的消费电子产品的温度控制等。根据硅基传感单元的不同，又分为基于BJT的温度传感器、基于电阻的温度传感器、基于热扩散(Thermal Diffusivity，TD)的温度传感器以及基于MOSFET的温度传感器，不同的温度传感器各具优缺点。

基于BJT的温度传感器具有很大的测量范围，可以达到-55℃到125℃，同时具有较高的精度，但由于其固有的0.7V的基极发射极电压消耗，限制了电源电压的范围，很难与现在的1V数字电源相兼容。基于电阻的温度传感器在校正和可以达到很高的分辨率和精度，但由于其温度模型较复杂，一般需要两点以上的校正，成本较高。基于TD的温度传感器面积较小，且对电源电压没有要求，可以适用于现代1V数字电源电压系统，但由于需要进行自加热，所以功耗较高，且会造成相应的测量误差。基于MOSFET的温度传感器可以实现全数字结构，故而结构简单，面积较小，同时功耗较低，适用于1V数字电源电压系统，但温度测量范围受限，且一般需要加入校正来实现较满意的精度。

现代SoC采用温度传感器来实时检测芯片内部温度，通过冷点和热点监测为SoC芯片提供芯片温度的检测与保护。由于在设计阶段很难预测热点位置，SoC中需要多个温度传感监测器，因而采用高度集成的、低功耗基于MOSFET的数字温度传感器来帮助保持SoC性能和可靠性，同时具有高效、低成本、且易于集成的特点。

如图1所示，基于FDC的数字温度传感器由振荡器传感单元以及FDC构成，振荡器传感单元将温度转换成为包含温度信息的频率信息，输入FDC中被数字化为数字编码，完成温度到数字编码的转换。由于不同工艺存在偏差，将会影响最终输出编码与温度的对应关系，并且由于振荡器输出的频率比与温度之间存在的非线性关系，存在系统固有的非线性误差，因此需要加入校正模块来减小偏差，提高温度传感器精度。

单点校正是最简单的校正方法，一般只能应用于校正系统具有理想的线性关系但存在着固定偏移量的情况，当温度传感器存在明显工艺偏差以及系统非线性时不再适用，校正后的精度没有明显改善，达不到预期指标要求。而多点校正可以用于校正传感器输出曲线的非线性，但由于成本相对较高，一般很少使用。

发明内容

鉴于FDC的数字温度传感器存在工艺偏差导致的偏移量以及斜率误差，同时存在系统非线性误差，本发明提供了一种应用于数字温度传感器系统非线性误差的校正方法，采用两点校正以及多项式拟合相结合的校正方法来消除工艺偏差以及系统的非线性，提高传感器的测量精度。

一种应用于数字温度传感器系统非线性误差的校正方法，即通过对温度传感器输出包含温度信息的数字编码进行两点校正以消除工艺偏差，并通过多项式拟合以消除系统的非线性误差，进而将校正后的数字编码对应的温度值代入固定系数的多项式中得到与实际温度对应的数字编码。

进一步地，所述两点校正的具体实施过程如下：

A1.在同一批次芯片中随机选取一片温度传感器作为参考芯片，利用参考芯片对温度T₁和T₂进行测试，得到对应的数字编码D₁和D₂；