[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202110356602.0 | 申请日: | 2021-04-01 |
公开(公告)号: | CN113097233A | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 李栋;张慧娟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括:
衬底;以及,
设置在所述衬底一侧的至少一个晶体管;所述晶体管包括:依次层叠设置的有源层、第一栅绝缘层、第一栅极、层间绝缘层、源漏电极层及平坦层;所述源漏电极层包括源极和漏极;
其中,所述层间绝缘层包括第一部分和第二部分;所述层间绝缘层的第一部分在所述衬底上的正投影和所述第一栅极在所述衬底上的正投影至少部分重叠;
相对于所述衬底,所述层间绝缘层的第一部分远离所述衬底一侧的表面,低于所述层间绝缘层的第二部分远离所述衬底一侧的表面。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述层间绝缘层的第一部分远离所述衬底一侧的表面,与所述层间绝缘层的第二部分远离所述衬底一侧的表面之间的间距,大于0nm,且小于或等于200nm。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一栅极在所述衬底上的正投影位于所述层间绝缘层的第一部分在所述衬底上的正投影范围内。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述源极和所述漏极在所述衬底上的正投影,与所述层间绝缘层的第一部分在所述衬底上的正投影不重叠。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述晶体管还包括设置在所述有源层和所述第一栅绝缘层之间的第二栅极;
所述第二栅极在所述衬底上的正投影位于所述层间绝缘层的第一部分在所述衬底上的正投影范围内。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括:设置在所述平坦层远离所述衬底的一侧、且依次层叠的像素界定层及多个隔垫物;
所述多个隔垫物在所述衬底上的正投影与所述层间绝缘层的第一部分在所述衬底上的正投影不重叠。
7.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述层间绝缘层的第二部分的厚度范围为500nm~1500nm。
8.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述层间绝缘层包括:依次层叠设置的第一子层间绝缘层和第二子层间绝缘层;
其中,相对于所述衬底,所述第二子层间绝缘层中与所述层间绝缘层的第一部分相对应的第一子部远离所述衬底一侧的表面,低于所述第二子层间绝缘层中与所述层间绝缘层的第二部分相对应的第二子部远离所述衬底一侧的表面。
9.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述层间绝缘层的材料包括无机绝缘材料;
所述平坦层的材料包括有机绝缘材料。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的显示基板,其特征在于,所述晶体管的数量为多个,多个所述晶体管包括驱动晶体管、补偿晶体管和复位晶体管中的至少一个。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的