[发明专利]一种MPCVD设备基板台冷却系统在审
| 申请号： | 202110356302.2 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN113186516A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 龚闯;朱长征;吴剑波;蒋剑宏 | 申请（专利权）人： | 上海征世科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/46 | 分类号： | C23C16/46;C23C16/511;C23C16/52;C23C16/27 |
| 代理公司： | 上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312 | 代理人： | 袁步兰 |
| 地址： | 201799 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mpcvd 设备 基板台 冷却系统 | ||
1.一种MPCVD设备基板台冷却系统，其特征在于：所述基板台冷却系统包括基板(1)、冷却水进管(21)、冷却水出管(22)，所述基板(1)内设置若干个竖直布置的冷流孔(11)，所述冷流孔(11)在水平方向上均匀分布，冷流孔(11)内设置将其隔为弯折流道的隔板(12)，弯折位置位于冷流孔(11)的顶端，所述冷却水进管(21)插入基板(1)内并连接所有的冷流孔(11)一侧流道，所述冷流孔(11)的另一侧流道均连接至冷却水出管(22)上。
2.根据权利要求1所述的一种MPCVD设备基板台冷却系统，其特征在于：所述基板(1)内设置流阻孔(13)，所述流阻孔(13)设置在冷流孔(11)侧壁上，流阻孔(13)根据该冷流孔(11)顶端的温度控制该冷流孔(11)内的冷却水流量。
3.根据权利要求2所述的一种MPCVD设备基板台冷却系统，其特征在于：所述基板台冷却系统还包括感应线(31)和磁体(32)，所述感应线(31)横置在冷流孔(11)的顶端，所述磁体(32)滑动安装在流阻孔(13)内，所述感应线(31)根据该冷流孔(11)上方等离子体感生出的电流来控制磁体(32)伸出流阻孔(13)的长度。
4.根据权利要求3所述的一种MPCVD设备基板台冷却系统，其特征在于：所述基板台冷却系统还包括二极管，所述二极管设置在感应线(31)的一端。
5.根据权利要求4所述的一种MPCVD设备基板台冷却系统，其特征在于：所述基板台冷却系统还包括线圈(33)，所述线圈(33)设置在流阻孔(13)的侧壁内，线圈(33)与感应线(31)电连接，感应线(31)内电流增大时，所述线圈(33)吸引磁体(32)收回。
6.根据权利要求5所述的一种MPCVD设备基板台冷却系统，其特征在于：所述基板台冷却系统还包括放大器(34)，所述放大器(34)输入感应线(31)的信号电流经过放大后输出到线圈(33)上。
7.根据权利要求6所述的一种MPCVD设备基板台冷却系统，其特征在于：所述放大器(34)为三极管，所述感应线(31)的电位端接三极管基极。
8.根据权利要求7所述的一种MPCVD设备基板台冷却系统，其特征在于：所述基板(1)中央位置处的放大器(34)放大系数高于外缘处放大器(34)放大系数。
9.根据权利要求5所述的一种MPCVD设备基板台冷却系统，其特征在于：所述基板台冷却系统还包括弹簧(4)，所述磁体(32)插入流阻孔(13)的一端抵住弹簧(4)的一端，所述弹簧(4)的另一端抵住流阻孔(13)底面。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
