[发明专利]一种二维沟道材料Ga2

权利要求书

1.一种二维沟道材料Ga₂SSe的制备方法，其特征在于：将硒化镓多晶粉末利用液相剥离法得到片层硒化镓样品，随后将片层硒化镓样品硫化处理获得Ga₂SSe材料；具体包括以下步骤：

步骤（1）取得纯度大于99.95%的硒化镓多晶粉末或单晶块体加入到密封罐中；

步骤（2）密封罐中以1：（80-100）的固液质量比例加入极性溶剂经过充分混合，形成溶液体系；

步骤（3）从密封罐的下部喷嘴往溶液通入氩气，进行1小时鼓泡处理去除溶液中的氧气；

步骤（4）在超声清洗机中加入冰块，将密封罐放置到超声波清洗机中进行超声处理，随后得到片层硒化镓分散液；

步骤（5）将得到的片层硒化镓分散液置于离心管中，进行离心分离，离心后取得管内三分之二的上清液，重复上述离心过程3次，真空干燥得到干净的片层硒化镓样品；

步骤（6）将片层硒化镓样品放置在管式炉加热区的中心加热到800 ℃，将硫粉加热到150 ℃，并通过氩气将硫气运送到加热区的中心，硫化，最后自然冷却至室温；

步骤（7）将硫化后的样品取出，分别用蒸馏水以及无水乙醇洗涤去除杂质；

步骤（8）将步骤（7）所得到的物质真空干燥，得到Ga₂SSe材料。

2.根据权利要求1所述的一种二维沟道材料Ga₂SSe的制备方法，其特征在于：步骤（2）所述极性溶剂具体为N,N-二甲基乙酰胺或乙醇和水的混合溶剂。

3.根据权利要求1所述的一种二维沟道材料Ga₂SSe的制备方法，其特征在于：步骤（3 ）氩气流量为100 sccm，1sccm = 1ml/min。

4.根据权利要求1所述的一种二维沟道材料Ga₂SSe的制备方法，其特征在于：步骤（4）所述超声处理为110W下超声处理12小时。

5.根据权利要求1所述的一种二维沟道材料Ga₂SSe的制备方法，其特征在于：步骤（5）所述离心分离具体为以3000 rpm/min的转速离心1小时进行分离。

6.根据权利要求1所述的一种二维沟道材料Ga₂SSe的制备方法，其特征在于：步骤（5）所述真空干燥具体为50 ℃的真空干燥8小时。

7.根据权利要求1所述的一种二维沟道材料Ga₂SSe的制备方法，其特征在于：步骤（6）所述硫化时间为30 ~ 60 min。

8.根据权利要求1所述的一种二维沟道材料Ga₂SSe的制备方法，其特征在于：步骤（8）所述真空干燥为50 ~ 70 ℃的真空干燥8小时。