[发明专利]一种背面选择性发射极TOPCON电池的制备方法

权利要求书

1.一种背面选择性发射极TOPCON电池的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

1）对N型硅片清洗制绒；

2）正面硼扩散；

3）背面酸洗、刻蚀或者抛光；

4）背面氧化硅、多晶硅的复合双层制作：将硅片送入炉管内进行氧化，管温为500-750℃，在硅片正背面生长出厚度为1-2nm的第一层氧化硅；随后在炉管内通入SiH₄，沉积生长得到厚度为40nm-200nm的第一层多晶硅；

调整炉内温度至500-600之间，并抽至低压后进行通氧，氧气流量5slm-20slm，随后进行恒压氧化3-5min形成均匀厚度的第二层氧化硅；随后在炉管内通入SiH₄，调压至20pa-300pa之间，SiH₄流量100sccm-1000sccm之间，沉积时间20-40min，形成均匀厚度的第二层多晶硅；

5)背面磷扩散；

6）去除正面第二层多晶硅；

7）使用丝网印刷，在背面制备出与电极图形一致的掩膜层；

8）酸洗去正背面PSG、碱洗，碱抛形成轻、重扩区；

9）正面沉积氧化铝；

10）正面减反膜沉积；

11）背面钝化膜沉积；

12）电极印刷。

2.根据权利要求1所述的一种背面选择性发射极TOPCON电池的制备方法，其特征在于：步骤5）具体为：采用POCl₃进行磷扩散，先低温沉积，沉积温度为750-800℃；后分段推进：先在温度为800-850℃进行推进，时间为5-30min，再在850-930℃高温推进，时间10-30min；最后进行降温至720-780之间。

3.根据权利要求1所述的一种背面选择性发射极TOPCON电池的制备方法，其特征在于：第二层多晶硅和氧化硅的厚度小于第一层多晶硅和氧化硅的厚度。

4.根据权利要求1所述的一种背面选择性发射极TOPCON电池的制备方法，其特征在于：步骤8）具体为：使用浓度为1%-10%HF洗去除正背面的PSG，脱水后使用浓度为1%-10%的氨水和浓度为1%-20%的双氧水进行碱洗；随后进行碱抛，碱抛使用浓度为1%-15%的氢氧化钾或者氢氧化钠，温度40-80℃，时间1-10min，完成后进行酸洗。