[发明专利]应力迁移测试结构和应力迁移测试方法有效

专利信息
申请号: 202110354897.8 申请日: 2021-03-31
公开(公告)号: CN113097092B 公开(公告)日: 2021-11-05
发明(设计)人: 王志强 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 梁文惠
地址: 430074 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 应力 迁移 测试 结构 方法
【权利要求书】:

1.一种应力迁移测试结构,其特征在于,所述应力迁移测试结构包括一个或多个第n+1层金属互连层的第一应力迁移测试结构和/或一个或多个第m层金属层的第二应力迁移测试结构,其中,

所述第一应力迁移测试结构包括:

第n+1层金属层,第n+1层金属层中具有一个第一金属部,所述第一金属部的两端均设置有测试信号接入点;

第n层金属层,所述第n层金属层具有多个相互隔离的第二金属部,各所述第二金属部通过第n层通孔与所述第一金属部物理连接;

第n+1层参考结构,与所述第n+1层金属层相邻,所述第n层参考结构的两端均设置有测试信号接入点,n为大于或等于1的整数;

所述第二应力迁移测试结构包括:

第m+1层金属层,所述第m+1层金属层具有多个相互隔离的第三金属部,

第m层金属层,所述第m层金属层中具有一个第四金属部,各所述第四金属部通过第m层通孔与所述第三金属部物理连接,所述第四金属部的两端均设置有测试信号接入点;

第m层参考结构,与所述第m层金属层相邻,所述第m层参考结构的两端均设置有测试信号接入点,m≠n,且m为大于或等于1的整数。

2.根据权利要求1所述的应力迁移测试结构,其特征在于,所述金属层、所述参考结构和所述通孔的材料均为铜。

3.根据权利要求1所述的应力迁移测试结构,其特征在于,所述第n+1层参考结构和所述第一金属部的结构和尺寸均相同,所述第m层参考结构和所述第四金属部的结构和尺寸均相同。

4.根据权利要求1或3所述的应力迁移测试结构,其特征在于,所述第一金属部和所述第四金属部的长度为0.1~10000μm,宽度为0.02~50μm。

5.根据权利要求1所述的应力迁移测试结构,其特征在于,1≤n≤10,1≤m≤10。

6.根据权利要求1所述的应力迁移测试结构,其特征在于,所述应力迁移测试结构中的通孔总数量在1~10000之间。

7.一种应力迁移测试方法,采用应力迁移测试结构来进行测试,其特征在于,所述应力迁移测试结构为权利要求1至6中任一项所述的应力迁移测试结构。

8.根据权利要求7所述的应力迁移测试方法,其特征在于,所述应力迁移测试方法包括第n+1层金属互连层的应力迁移导致的电阻变化的第一测试过程,所述第一测试过程包括:

检测第一应力迁移测试结构中加热前后第n+1层金属层的电阻值,分别记为R前1和R后1

检测第n+1层参考结构中加热前后电阻值,记为R前2和R后2

通过公式RSM=[(R后1–R前1)–(R后2–R前2)]/R前1计算得到因应力迁移导致的电阻变化。

9.根据权利要求7所述的应力迁移测试方法,其特征在于,所述应力迁移测试方法还包括第m层金属互连层的应力迁移导致的电阻变化的第二测试过程,所述第二测试过程包括:

检测第二应力迁移测试结构中加热前后第m层金属层的电阻值,分别记为R前1和R后1

检测第m层参考结构中加热前后电阻值,记为R前2和R后2

通过公式RSM=[(R后1–R前1)–(R后2–R前2)]/R前1计算得到因应力迁移导致的电阻变化。

10.根据权利要求8或9所述的应力迁移测试方法,其特征在于,所述加热的温度为100~250℃。

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