[发明专利]应力迁移测试结构和应力迁移测试方法有效
申请号: | 202110354897.8 | 申请日: | 2021-03-31 |
公开(公告)号: | CN113097092B | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
发明(设计)人: | 王志强 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 梁文惠 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 应力 迁移 测试 结构 方法 | ||
1.一种应力迁移测试结构,其特征在于,所述应力迁移测试结构包括一个或多个第n+1层金属互连层的第一应力迁移测试结构和/或一个或多个第m层金属层的第二应力迁移测试结构,其中,
所述第一应力迁移测试结构包括:
第n+1层金属层,第n+1层金属层中具有一个第一金属部,所述第一金属部的两端均设置有测试信号接入点;
第n层金属层,所述第n层金属层具有多个相互隔离的第二金属部,各所述第二金属部通过第n层通孔与所述第一金属部物理连接;
第n+1层参考结构,与所述第n+1层金属层相邻,所述第n层参考结构的两端均设置有测试信号接入点,n为大于或等于1的整数;
所述第二应力迁移测试结构包括:
第m+1层金属层,所述第m+1层金属层具有多个相互隔离的第三金属部,
第m层金属层,所述第m层金属层中具有一个第四金属部,各所述第四金属部通过第m层通孔与所述第三金属部物理连接,所述第四金属部的两端均设置有测试信号接入点;
第m层参考结构,与所述第m层金属层相邻,所述第m层参考结构的两端均设置有测试信号接入点,m≠n,且m为大于或等于1的整数。
2.根据权利要求1所述的应力迁移测试结构,其特征在于,所述金属层、所述参考结构和所述通孔的材料均为铜。
3.根据权利要求1所述的应力迁移测试结构,其特征在于,所述第n+1层参考结构和所述第一金属部的结构和尺寸均相同,所述第m层参考结构和所述第四金属部的结构和尺寸均相同。
4.根据权利要求1或3所述的应力迁移测试结构,其特征在于,所述第一金属部和所述第四金属部的长度为0.1~10000μm,宽度为0.02~50μm。
5.根据权利要求1所述的应力迁移测试结构,其特征在于,1≤n≤10,1≤m≤10。
6.根据权利要求1所述的应力迁移测试结构,其特征在于,所述应力迁移测试结构中的通孔总数量在1~10000之间。
7.一种应力迁移测试方法,采用应力迁移测试结构来进行测试,其特征在于,所述应力迁移测试结构为权利要求1至6中任一项所述的应力迁移测试结构。
8.根据权利要求7所述的应力迁移测试方法,其特征在于,所述应力迁移测试方法包括第n+1层金属互连层的应力迁移导致的电阻变化的第一测试过程,所述第一测试过程包括:
检测第一应力迁移测试结构中加热前后第n+1层金属层的电阻值,分别记为R前1和R后1;
检测第n+1层参考结构中加热前后电阻值,记为R前2和R后2;
通过公式RSM=[(R后1–R前1)–(R后2–R前2)]/R前1计算得到因应力迁移导致的电阻变化。
9.根据权利要求7所述的应力迁移测试方法,其特征在于,所述应力迁移测试方法还包括第m层金属互连层的应力迁移导致的电阻变化的第二测试过程,所述第二测试过程包括:
检测第二应力迁移测试结构中加热前后第m层金属层的电阻值,分别记为R前1和R后1;
检测第m层参考结构中加热前后电阻值,记为R前2和R后2;
通过公式RSM=[(R后1–R前1)–(R后2–R前2)]/R前1计算得到因应力迁移导致的电阻变化。
10.根据权利要求8或9所述的应力迁移测试方法,其特征在于,所述加热的温度为100~250℃。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造