[发明专利]垂直存储器装置在审
| 申请号: | 202110354320.7 | 申请日: | 2021-04-01 |
| 公开(公告)号: | CN113707662A | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
| 发明(设计)人: | 申东夏;郑在元;任琫淳 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/11519 | 分类号: | H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/11573;H01L27/11529 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 陈亚男;尹淑梅 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 垂直 存储器 装置 | ||
1.一种垂直存储器装置,所述垂直存储器装置包括:
多条字线,位于基底上,所述多条字线在平行于基底的主表面的水平方向上延伸,所述多条字线沿竖直方向堆叠;
多个字线切割区域,在第一水平方向上彼此平行地延伸并且限定所述多条字线的宽度,所述宽度在垂直于第一水平方向的第二水平方向上;
存储器单元阵列,包括在基底上沿竖直方向延伸穿过所述多条字线并且布置成蜂窝结构的多个沟道结构;
多个接触件,位于所述多个沟道结构上;以及
多条位线,通过所述多个接触件连接到所述多个沟道结构,
其中,存储器单元阵列包括由所述多个字线切割区域限定并且连接到来自所述多条位线之中的一些相同的位线的第一子阵列和第二子阵列,并且
来自所述多个接触件之中的位于第一子阵列中的接触件的布局不同于来自所述多个接触件之中的位于第二子阵列中的接触件的布局。
2.根据权利要求1所述的垂直存储器装置,其中,所述多条位线之间的间隙比所述多个沟道结构中的每个的宽度小。
3.根据权利要求1所述的垂直存储器装置,所述垂直存储器装置还包括:
串选择线,沿竖直方向与所述多条字线叠置;以及
多个选择线切割区域,限定串选择线在第二水平方向上的宽度,
其中,第一子阵列和第二子阵列中的每个包括通过所述多个选择线切割区域彼此分离的多个沟道组。
4.根据权利要求3所述的垂直存储器装置,其中,包括在所述多个沟道组中的每个中的沟道结构的布局是相同的。
5.根据权利要求3所述的垂直存储器装置,其中,所述多个选择线切割区域在剖面中具有波形,该剖面平行于基底的主表面。
6.根据权利要求3所述的垂直存储器装置,其中,第一子阵列和第二子阵列中的每个连接到来自所述多条位线之中的第一位线至第四位线,并且
所述多个沟道组中的每个包括在第二水平方向上彼此对准的第一沟道结构和第二沟道结构,并且所述多个沟道组中的每个包括在第二水平方向上彼此对准的第三沟道结构和第四沟道结构。
7.根据权利要求6所述的垂直存储器装置,其中,包括在第一子阵列中的所述多个沟道组中的每个的第一沟道结构连接到第二位线,并且包括在第二子阵列中的所述多个沟道组中的每个的第一沟道结构连接到第一位线。
8.根据权利要求6所述的垂直存储器装置,其中,第一子阵列包括在第二水平方向上彼此对准的第一沟道组至第四沟道组,
第一沟道组和第二沟道组中的每个的第一沟道结构连接到第二位线,并且
第三沟道组和第四沟道组中的每个的第一沟道结构连接到第一位线。
9.根据权利要求6所述的垂直存储器装置,其中,第一子阵列包括在第二水平方向上彼此对准的第一沟道组至第四沟道组,
第一沟道组和第四沟道组中的每个的第一沟道结构连接到第二位线,并且
第二沟道组和第三沟道组中的每个的第一沟道结构连接到第一位线。
10.根据权利要求6所述的垂直存储器装置,其中,第一子阵列包括在第二水平方向上彼此对准的第一沟道组至第四沟道组,
第一沟道组、第二沟道组和第四沟道组中的每个的第一沟道结构连接到第二位线,并且第三沟道组的第一沟道结构连接到第一位线。
11.根据权利要求1所述的垂直存储器装置,其中,存储器单元阵列包括连接到与连接到第一子阵列的位线不同的位线的第三子阵列,
第三子阵列在第一水平方向上与第一子阵列对准,并且
来自所述多个接触件之中的位于第一子阵列中的接触件的布局与来自所述多个接触件之中的位于第三子阵列中的接触件的布局相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





