[发明专利]一种基于自供电技术降低待机功耗的方法及应用有效
申请号: | 202110354032.1 | 申请日: | 2021-04-01 |
公开(公告)号: | CN113067456B | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
发明(设计)人: | 程兆辉;于玮;罗可桥;杨昕禾 | 申请(专利权)人: | 东科半导体(安徽)股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00;H02M3/28 |
代理公司: | 青岛华慧泽专利代理事务所(普通合伙) 37247 | 代理人: | 付秀颖 |
地址: | 243000 安徽省马鞍山市经济技术开发*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 供电 技术 降低 待机 功耗 方法 应用 | ||
1.一种基于自供电技术降低待机功耗的方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1.上电启动控制芯片,控制芯片通过光耦反馈信号FB,可以判断输出负载状况;所述控制芯片包括Tac计时器、均值器,所述均值器分别与比较器CMP1、比较器CMP2的电性相反的端口连接,所述比较器CMP1、比较器CMP2分别与RS锁存器连接,所述RS锁存器分别通过控制开关K2、K3与比较器CMP3一端连接,比较器CMP3另一端通过电阻RFB接地;
S2.启动工频周期Tac计时,判断Tac计时是否达到设定值,同时均值器记录PWM的个数;
S3.计算Tac时间内的输入功率平均值Pavg;
S4.Pavg分别和Pstdin,Pstdout做比较;根据判断结果选择关闭或启动控制芯片内部的模拟线路,调整Vbur电压;
控制芯片消耗电流Ivcc包括控制电路消耗的电流Ictrl和光耦反馈电流Iopc,即
其中RFB为光耦反馈信号FB对地之间所接电阻,VFB为光耦反馈电压。
2.根据权利要求1所述的一种基于自供电技术降低待机功耗的方法,其特征在于,上电启动成功信号,启动Tac计时器,同时均值器记录PWM的个数,当Tac时间到达时,Tac计时器输出EN_AVE信号,送入均值器,均值器通过Tac时间内的PWM个数来计算输入功率均值信号Pavg,并送入比较器CMP1和CMP2,PWM个数较多,说明负载较重,PWM个数较少,说明负载较轻;根据比较结果通过RS锁存器产生stdby信号,利用控制开关K2和K3的通断来控制进入打嗝状态的VFB门槛值,最后通过比较器CMP3输出停止PWM输出信号PWMOFF,进入打嗝状态。
3.根据权利要求1所述的一种基于自供电技术降低待机功耗的方法,其特征在于,当负载增加时,Tac周期内PWM个数变多,检测到工频周期的平均输入功率PavgPstdout时,退出待机模式,激活控制芯片的模拟电路,并改变进入打嗝状态的FB门槛电压Vbur=Vnor。
4.根据权利要求1所述的一种基于自供电技术降低待机功耗的方法,其特征在于,当检测到工频周期的平均输入功率PavgPstdin时,进入待机模式,关闭控制芯片的非工作状态的模拟电路,同时将进入打嗝状态的FB门槛电压降低至Vbur=Vstd;待机模式中VFB在工频周期的平均值就会稳定在Vstd附近,大幅度降低了电流Iopc,减小了待机时的控制芯片总电流消耗。
5.根据权利要求1所述的一种基于自供电技术降低待机功耗的方法,其特征在于,正常工作模式下,VFB电压较低,当负载变轻,VFB电压升高,此时 Vbur=Vnor;当VFBVbur时,停止PWM输出,进入打嗝状态。
6.一种基于权利要求1-5任一项所述方法的用途,该方法应用于反激式开关电源,包括控制芯片、功率开关K1和变压器T1,所述控制芯片通过开关K1与变压器T1的初级线圈连接,所述变压器T1的次级线圈上设有电容C2和负载电阻RL,所述电容C2和负载RL并联,控制芯片与反馈回路中的光耦连接,控制芯片根据光耦信号FB、Rcs电流检测信号CS来产生信号PWM,用于控制K1的导通和关断。
7.根据权利要求6所述的用途,其特征在于,所述反馈回路包括光耦,所述光耦输入端与电阻R4并联,所述电阻R4一端通过R3与次级整流二极管D2的阴极连接,所述次级整流二极管D2与变压器T1连接,电阻R4另一端分别与R5和可控精密稳压源的阴极连接,所述电阻R5与电容C4串联,所述电容C4分别与电阻R2、R1连接,所述可控精密稳压源的参考端与电阻R2、R1连接,阳极与电阻R2的另一端连接。
8.根据权利要求6所述的用途,其特征在于,所述变压器T1的初级线圈通过变压器漏感Lr与二极管D1连接,所述二极管D1分别与电阻R6、电容C3连接,所述电阻R6、电容C3并联。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东科半导体(安徽)股份有限公司,未经东科半导体(安徽)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110354032.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置