[发明专利]一种基于自供电技术降低待机功耗的方法及应用

权利要求书

1.一种基于自供电技术降低待机功耗的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.上电启动控制芯片，控制芯片通过光耦反馈信号FB，可以判断输出负载状况；

S2.启动工频周期Tac计时；判断Tac计时是否达到设定值；

S3.计算Tac时间内的VFB平均值VFBavg；

S4.VFBavg分别和Vstdin，Vstdout做比较；根据比较结果选择关闭或启动控制芯片内部的模拟线路，调整RFB电阻。

2.根据权利要求1所述的一种基于自供电技术降低待机功耗的方法，其特征在于，步骤S1中控制芯片包括Tac计时器、均值器，所述均值器分别与比较器CMP1、比较器CMP2的电性相反的端子连接，所述比较器CMP1、比较器CMP2分别与RS锁存器连接，所述RS锁存器分别连接控制开关K2、K3。

3.根据权利要求1所述的一种基于自供电技术降低待机功耗的方法，其特征在于，上电启动信号成功，启动Tac计时器，同时均值器采样光耦反馈电压VFB，当Tac时间到达设定值时，Tac计时器输出EN_AVE信号，送入均值器，均值器输出Tac时间内的VFB均值信号VFBavg，送入比较器CMP1和CMP2，根据比较结果通过RS锁存器产生stdby信号，利用控制开关K2和K3的通断来控制RFB阻值。

4.根据权利要求1所述的一种基于自供电技术降低待机功耗的方法，其特征在于，控制芯片消耗电流Ivcc包括控制电路消耗的电流Ictrl和光耦反馈电流Iopc，即

其中RFB为光耦反馈信号FB对地之间所接电阻，VFB为光耦反馈电压。

5.根据权利要求1所述的一种基于自供电技术降低待机功耗的方法，其特征在于，当输出负载减小时，光耦反馈电流Iopc增加，VFB电压升高；控制芯片检测到VFB在工频周期Tac的平均电压VFBavgVstdin时，判断输出为轻载，进入待机模式，此时关闭控制芯片的非工作状态下的模拟电路，使控制芯片消耗的静态电流大幅度减小，同时将RFB电阻增加为RFBstd，即RFB＝RFBstd，使得光耦电流Iopc减小，减小了待机时的总电流消耗。

6.根据权利要求1所述的一种基于自供电技术降低待机功耗的方法，其特征在于，当输出负载增加时，光耦反馈电流Iopc减小，VFB电压降低；控制芯片检测到VFB在工频周期Tac的平均电压VFBavgVstdout时，退出待机模式；此时激活控制芯片的模拟电路，并且减小RFB电阻，即RFB＝RFBnor，提高系统环路响应速度。

7.一种基于上述方法的反激式开关电源，其特征在于，包括控制芯片、功率开关K1和变压器T1，所述控制芯片分别与反馈回路中的光耦、变压器T1连接，所述变压器T1与控制芯片之间设有功率开关K1，所述功率开关K1两端接等效电容C1，所述控制芯片根据光耦信号FB、Rcs电流检测信号CS来产生信号PWM，用于控制K1的导通和关断。

8.根据权利要求7所述的一种基于上述方法的反激式开关电源，其特征在于，所述反馈回路包括光耦，所述光耦输入端与电阻R4并联，所述电阻R4一端通过R3与次级整流二极管D2的阴极连接，所述次级整流二极管D2与变压器T1连接，电阻R4另一端分别与R5和可控精密稳压源的阴极连接，所述电阻R5与电容C4串联，所述电容C4分别与电阻R2、R1连接，所述可控精密稳压源的参考端与电阻R2、R1连接，阳极与电阻R2的另一端连接。

9.根据权利要求7所述的一种基于上述方法的反激式开关电源，其特征在于，所述变压器T1的次级线圈上设有电容C2和负载电阻RL，所述电容C2和负载RL并联；变压器T1的初级线圈通过变压器漏感Lr与二极管D1连接，所述二极管D1分别与电阻R6、电容C3连接，所述电阻R6、电容C3并联。