[发明专利]微型发光二极管芯片、显示基板及其制造方法、显示装置在审
申请号: | 202110353512.6 | 申请日: | 2021-03-31 |
公开(公告)号: | CN113097243A | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 韵夏伟;陈振彰;黄文杰;高博;钱学海;金美灵;孙文佳;刘小舟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/50;H01L25/16;G09F9/33 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张琛 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 发光二极管 芯片 显示 及其 制造 方法 显示装置 | ||
本公开的实施例提供了一种微型发光二极管芯片、显示基板及其制造方法、显示装置。微型发光二极管芯片包括:基底,包括相对设置的第一侧和第二侧;设置在所述基底的第一侧的第一接触部和多个第二接触部;以及设置在所述基底的第一侧的多个微型发光二极管,所述多个微型发光二极管位于所述第一接触部和所述第二接触部远离所述基底的一侧,所述微型发光二极管包括第一电极和第二电极。所述多个微型发光二极管间隔设置,所述多个微型发光二极管以及所述多个微型发光二极管彼此之间的间隔的组合在所述基底上的正投影落入所述基底内;以及所述多个微型发光二极管的第一电极均与所述第一接触部电连接,所述多个微型发光二极管的第二电极分别与所述多个第二接触部电连接。
技术领域
本公开涉及微型发光二极管技术领域,尤其涉及一种微型发光二极管芯片、显示基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,英文缩写为LED)技术发展了近三十年,其应用范围不断扩展,例如,其可以应用于显示领域,用作显示装置的背光源或用作LED显示屏。随着技术的发展,次毫米发光二极管(Mini Light Emitting Diode,英文缩写为Mini LED)显示技术和微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode,英文缩写为Micro LED)显示技术逐渐成为显示装置的一个热点。LED具有自发光、广视角、快速响应、结构简单、寿命长等优点,而且,Mini LED/Micro LED显示屏可以通过拼接方式实现大尺寸显示,所以,它们具有较好的市场前景。目前,Mini LED/Micro LED显示装置的结构及其制造工艺,是研发人员关注的重要课题之一。
在本部分中公开的以上信息仅用于对本公开的发明构思的背景的理解,因此,以上信息可包含不构成现有技术的信息。
发明内容
为了解决上述问题的至少一个方面,本公开实施例提供一种微型发光二极管芯片、显示基板及其制造方法、显示装置。
在一个方面,提供一种微型发光二极管芯片,所述微型发光二极管芯片包括:基底,所述基底包括相对设置的第一侧和第二侧;设置在所述基底的第一侧的第一接触部和多个第二接触部;以及设置在所述基底的第一侧的多个微型发光二极管,所述多个微型发光二极管位于所述第一接触部和所述第二接触部远离所述基底的一侧,所述微型发光二极管包括第一电极和第二电极,其中,所述多个微型发光二极管间隔设置,所述多个微型发光二极管以及所述多个微型发光二极管彼此之间的间隔的组合在所述基底上的正投影落入所述基底内;以及所述多个微型发光二极管的第一电极均与所述第一接触部电连接,所述多个微型发光二极管的第二电极分别与所述多个第二接触部电连接。
根据一些示例性的实施例,所述微型发光二极管芯片还包括设置在所述基底的第二侧的第一端子和第二端子,所述第一端子接入第一电压信号,所述第二端子接入第二电压信号。
根据一些示例性的实施例,所述微型发光二极管芯片还包括设置在所述基底的第一侧的测试端子,所述测试端子接入用于实施发光测试的测试信号。
根据一些示例性的实施例,所述微型发光二极管芯片还包括设置在所述基底的第二侧的第三端子和第四端子,所述第三端子和所述第四端子分别接入不同的电信号;以及所述第二端子和所述第四端子中的至少一个在所述基底上的正投影与所述测试端子在所述基底上的正投影至少部分重叠。
根据一些示例性的实施例,所述多个微型发光二极管发出的光的颜色彼此不同。
根据一些示例性的实施例,所述多个微型发光二极管发出的光的颜色相同。
根据一些示例性的实施例,至少一个微型发光二极管包括设置在所述基底的第一侧的光转换层,用于将第一波长范围的光转换为第二波长范围的光,其中,所述第一波长范围不同于所述第二波长范围。
根据一些示例性的实施例,所述微型发光二极管芯片还包括挡墙,所述挡墙设置在所述多个微型发光二极管彼此之间的间隔中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的