[发明专利]具有菲类双芳胺结构的空穴传输材料及其制备方法和应用在审
申请号: | 202110352953.4 | 申请日: | 2021-03-31 |
公开(公告)号: | CN113121361A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 马晓宇;汪康;张雪;陈振生;贾宇;韩文坤;徐佳楠 | 申请(专利权)人: | 吉林奥来德光电材料股份有限公司 |
主分类号: | C07C211/54 | 分类号: | C07C211/54;C07C211/58;C07C211/61;C07D307/91;C07D209/86;C07D333/76;H01L51/50;H01L51/54;H01L51/42;H01L51/46;H01L51/05;H01L51/30 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 黄燕 |
地址: | 130000 *** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 菲类双芳胺 结构 空穴 传输 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
本发明公开了一种具有菲类双芳胺结构的空穴传输材料及其制备方法和应用,涉及有机发光材料技术领域。该具有菲类双芳胺结构的空穴传输材料的化学结构式如通式Ⅰ或通式Ⅱ所示:其含有芳胺基给电子基团,且具有高的三线态能级,作为OLED发光器件的电子阻挡层材料使用可有效阻挡发光层的激子能量传递至空穴传输层中,提高激子在发光层中的复合效率,提高能量利用率,从而提高器件发光效率。此外,化合物引入的双芳胺侧链使化合物整体的空间结构呈放射状,使得分子间的距离变大,有利于减小分子间的凝聚力,减少结晶可能性,使其具有较高的玻璃化转变温度温度,可广泛应用于电致发光器件。
技术领域
本发明涉及有机发光材料技术领域,具体而言,涉及一种具有菲类双芳胺结构的空穴传输材料及其制备方法和应用。
背景技术
近些年OLED技术已经取得了巨大的研究进展,在发光效率方面,OLED远远高于PDP、CRT的水平,从长远来看OLED未来的发展必将沿着小尺寸-中尺寸-大尺寸-超大尺寸、单色-多色-彩色、无源-有源、硬屏-软屏的脉络进行发展。目前,OLED研究的热点主要集中在:提高器件的效率及稳定性,新材料的开发,降低器件成本等。
OLED发光器件犹如三明治的结构,空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层等结构组成。空穴传输层(HTL)负责调节空穴的注入速度和注入量,空穴传输材料直接影响OLED的效率和寿命。现有空穴传输区域中常用的化合物包括酞菁铜(CuPc)、4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPB)、N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)-(1,1’-联苯基)-4,4’-二胺(TPD)、4,4’,4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)等。
然而,使用这些材料的OLED在使量子效率和使用寿命方面存在问题。这是因为空穴传输材料通常具有低的最高已占据分子轨道(HOMO)值,在发光层中生成的激子扩散到空穴传输层界面或者空穴传输层侧,最终导致在发光层内界面的发光或者发光层内的电荷不均衡,从而在空穴传输层的界面上发光,使有机电致发光器件的色纯度及效率变低。目前公开的有机电致发光化合物,其发光效率和寿命均有一定不足。因此,开发一种发光效率高且寿命较好和低驱动电压的材料是目前需要解决的技术问题。
鉴于此,特提出本发明。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有菲类双芳胺结构的空穴传输材料及其制备方法及其应用。
本发明是这样实现的:
第一方面,本发明提供一种具有菲类双芳胺结构的空穴传输材料,其化学结构式如通式Ⅰ或通式Ⅱ所示:
其中,a选自0、1、2、3或4;b选自0、1或2;c选自0、1、2或3;
R1、R2和R3位于所在苯环的任意可以被取代基取代的位置;R1、R2和R3各自独立地选自以下基团中的任意一种:氢、氘、经取代或未经取代的C1-C30烷基、经取代或未经取代的C6-C30芳基、经取代或未经取代的3元到30元杂芳基;
Ar1、Ar2、Ar3和Ar4各自独立地选自以下基团中的任意一种:经取代或未经取代的C6-C30芳基、经取代或未经取代的3元到30元杂芳基、经取代或未经取代的C10-C30稠环基、经取代或未经取代的C5-C30螺环基、或Ar1、Ar2、Ar3和Ar4各自独立的与相邻取代基连接形成单环或多环;
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