[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供衬底；

于所述衬底的上表面形成位线阵列，所述位线阵列包括若干条间隔排布的位线，且所述位线之间通过支撑图形相连接，所述支撑图形沿所述位线排布的方向贯穿所述位线阵列；

于所述位线的侧壁形成位线侧墙，所述位线侧墙包括由内至外依次叠置的第一侧墙介质层、牺牲层及第二侧墙介质层，所述位线侧墙与所述位线构成位线结构；

去除部分所述支撑图形以暴露所述牺牲层；

去除所述牺牲层，以于所述第一侧墙介质层及所述第二侧墙介质层之间形成空气间隙。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述于所述衬底的上表面形成位线阵列，包括：

于所述衬底的上表面形成由下至上依次叠置的第一导电材料层、第二导电材料层及第一介质材料层；

于所述第一介质材料层的上表面形成支撑图形，所述支撑图形沿第一方向延伸；

于所述第一介质材料层的上表面形成第二介质材料层；

刻蚀所述第二介质材料层、所述第一介质材料层、所述第二导电材料层及所述第一导电材料层，以形成位线阵列，所述位线沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；所述支撑图形贯穿所述位线阵列。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述位线的侧壁形成位线侧墙的之后，还包括：

于相邻的所述位线结构之间形成填充介质层，所述填充介质层的上表面与所述位线结构的上表面齐平；

所述去除部分所述支撑图形以暴露所述牺牲层，包括：

于所述支撑图形中形成凹槽，所述凹槽暴露出部分所述牺牲层；

所述去除所述牺牲层，包括：

基于所述凹槽，采用湿法刻蚀去除所述牺牲层。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述支撑图形中形成凹槽，包括如下步骤：

去除所述支撑图形位于所述位线结构正上方的部分，以形成所述凹槽；保留相邻所述位线结构之间的支撑图形作为支撑结构。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述去除所述牺牲层，以于所述第一侧墙介质层及所述第二侧墙介质层之间形成空气间隙之后，还包括如下步骤：

于所述凹槽内形成第三介质材料层，所述第三介质材料层的上表面与所述第二介质材料层远离所述第一介质材料层的表面相齐平。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述凹槽内形成第三介质材料层包括如下步骤：

采用原子层沉积工艺于所述凹槽内形成所述第三介质材料层；形成所述第三介质材料层的沉积温度包括500℃~700℃。

7.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述凹槽内形成第三介质材料层之后，还包括如下步骤：

去除所述支撑结构。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一侧墙介质层及所述第二侧墙介质层均包括氮化硅层，所述牺牲层包括氧化硅层，所述支撑图形的材料包括碳化硅氮。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述支撑图形的宽度为所述位线的宽度的1/2~1倍。

10.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构采用如权利要求1至9中任一项所述的半导体结构的制备方法制备而得；所述半导体结构包括：

衬底；

若干条平行间隔排布的位线，所述位线沿第二方向延伸；

位线侧墙，位于所述位线的侧壁，包括由内至外依次叠置的第一侧墙介质层、空气间隙及第二侧墙介质层；所述位线侧墙与所述位线共同构成位线结构；

所述空气间隙的上边缘形成有凹部。