[发明专利]臭氧氧化工艺及臭氧氧化系统

说明书

本发明提供了一种臭氧氧化工艺，预先通过所述传输单元将待处理基板输送至所述预热单元；所述预热单元将所述基板加热至50℃‑100℃，得到预热基板；所述传输单元将所述预热基板运送至所述工艺单元，并通过所述工艺单元对所述预热基板进行氧化处理；所述传输单元的传输速度为5毫米/秒‑40毫米/秒，所述预热基板在所述预热单元内的运输时间为25秒‑100秒，以使所述工艺单元内的所述预热基板的温度低于90℃。预热单元和工艺单元单独工作，从而在预热单元内当基板到达反应的温度后，输送至工艺单元进行氧化反应，反应气体不会存在由于温度过高而分解，有效保障了反应气体的浓度。另外，本发明还公开一种臭氧氧化系统。

技术领域

本发明涉及光伏设备技术领域，尤其涉及一种臭氧氧化工艺及臭氧氧化系统。

背景技术

在高效太阳能电池中，氧化硅层可以作为抗PID(Potential InducedDegradation、电势诱导衰减)的阻挡层，PERC电池(Passivated Emitter and Rear Cell)的钝化层及TOPCon电池的隧穿功能层。

常规的氧化硅薄膜制备方法为高温热氧化,但是高温热氧化过程能耗高，温度通过1000度,且速度较慢，工艺时间长，高温环境对于硅片质量存在不利影响，会导致一些低质量的硅片质量恶化，而且多晶硅的少子寿命也容易在高温下衰减。

另外，公开号为CN109698256A中国专利，公开了一种硅片表面氧化系统和方法，包括臭氧发生器，水槽，循环泵，浓度检测装置，气液混合器和冷却装置，所述臭氧发生器与气液混合器连通，气液混合器分别与水槽和冷却装置连通，硅片设置在水槽中，气液混合器、水槽和冷却装置之间形成臭氧水循环通道，浓度检测装置和循环泵设置在臭氧水循环通道中。该方案中，由于臭氧水中臭氧的含量极低，不能有效的形成高质量的氧化硅薄膜。所以为实现高质量的臭氧氧化效果，需要保证硅片表面高浓度臭氧。

因此，有必要提供一种臭氧氧化工艺及臭氧氧化系统以解决现有技术中存在的上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种臭氧氧化工艺及臭氧氧化系统，有效避免了臭氧分解的问题，提高了生产效率。

为实现上述目的，本发明提供的一种臭氧氧化工艺，包括：

S01：提供预热单元、工艺单元和传输单元，预先通过所述传输单元将待处理基板输送至所述预热单元；

S02：通过所述预热单元将所述基板加热至50℃-100℃，得到预热基板；

S03：通过所述传输单元将所述预热基板运送至所述工艺单元，并通过所述工艺单元对所述预热基板进行氧化处理；

所述步骤S03中，控制所述传输单元的传输速度为5毫米/秒-40毫米/秒，所述预热基板在所述预热单元内的运输时间为25秒-100秒，以使所述工艺单元内的所述预热基板的温度低于90℃。

本发明一种臭氧氧化工艺的有益效果在于：所述预热单元加热所述基板，使所述基板达到氧化反应所需要的温度，得到预热基板，通过所述传输单元将所述预热基板传送至所述工艺单元内，并通过所述工艺单元对所述预热基板进行氧化处理，由于所述预热单元和所述工艺单元分隔开，且所述传输单元的传输速度为5毫米/秒-40毫米/秒，所述预热基板在所述预热单元内的运输时间为25秒-100秒，使所述工艺单元内的预热基板温度低于90℃，所以臭氧不会存在由于温度过高而分解，有效避免了臭氧分解的问题，大大提高了生产效率。

优选地，所述工艺单元包括供气单元；

所述步骤S03中，所述氧化处理包括：所述供气单元提供反应气体并控制所述反应气体的浓度为2％-12％。其有益效果在于：通过供气单元提供并控制所述反应气体的浓度为2％-12％，使所述预热基板的氧化反应效果最佳。