[发明专利]一种加硅脱氧孕育剂的制备工艺

权利要求书

1.一种加硅脱氧孕育剂的制备工艺，其特征在于，按照质量份计，所述的孕育剂包括硅铁30~50份、纳米碳化硅10~20份、硅钙7~12份、纯铝6~10份、硅酸锆6~10份、稀土硅铝合金12~20份；其具体的制备方法为：

步骤一、称取质量份为30~50份的硅铁以及6~10份的纯铝混合，其在混合后储存于混合容器中；所述的6~10份的纯铝首先经过高温溶解，溶解后将溶解液倒入硅铁中，所述的硅铁置于悬空的弹性板（1）中，当硅铁溶解到纯铝液体时便落入混合容器的下方；

步骤二、所述的混合容器的下方放置纳米碳化硅，步骤一种的硅铁被纯铝液体包裹，将该包裹物与纳米碳化硅再混合，混合容器的底部设置搅拌装置（2）；

步骤三、搅拌均匀后，将搅拌均匀的混合物质中添加7~12份的硅钙、6~10份的硅酸锆，同时进行挤压工艺，挤压至各物质之间无空隙；

步骤四、将挤压后的物质放入中频感应电炉进行熔炼，设置熔炼温度为1500℃~1550℃，熔炼过程中不断再搅拌，待原料全部融化后，继续搅拌，直至搅拌均匀，保温3~4小时；

步骤五、将保温后的混合物中降至室温，在其中添加12~20份的稀土硅铝合金，所述的稀土硅铝合金与混合物搅拌均匀后再设置熔炼温度为1300℃~1350℃，直至全部融化，融化后浇筑成锭，之后经过破碎处理即得加硅脱氧孕育剂颗粒。

2.根据权利要求1所述的一种加硅脱氧孕育剂的制备工艺，其特征在于，所述的稀土硅铝合金、纯铝、硅酸锆之间的质量份比为2:1:1。

3.根据权利要求1所述的一种加硅脱氧孕育剂的制备工艺，其特征在于，所述的纳米碳化硅的规格微米级的碳化硅。

4.根据权利要求1所述的一种加硅脱氧孕育剂的制备工艺，其特征在于，所述的加硅脱氧孕育剂的粒度规格为3~8mm。

5.根据权利要求1所述的一种加硅脱氧孕育剂的制备工艺，其特征在于，所述的纯铝经过700~750℃的高温溶解。

6.根据权利要求1所述的一种加硅脱氧孕育剂的制备工艺，其特征在于，所述的搅拌装置（2）底部开口，并连接挤压装置（3），所述的搅拌装置（2）、接挤压装置（3）之间通过传送带（4）连接。