[发明专利]苯并三氮唑氘代衍生物及其在有机电子器件的应用

权利要求书

1.一种如通式（I）所示的苯并三氮唑氘代衍生物：

其中，

R₀₀₁-R₀₀₅彼此相同或不同，各自独立是H；D；未取代的具有1至30个C原子的直链烷基；未取代的具有3至30个C原子的支链烷基；

并且，Ar₁和Ar₂选自通式（I-c），且至少有一个基团是氘代的：

其中，

R₁₀₉-R₁₁₂彼此相同或不同，各自独立是H；D；F；Cl；Br；氰基（-CN）；三氟甲基（-CF₃）；

虚线表示连接的单键。

2.一种高聚物，包含至少一个重复单元，其特征在于：包含有通式(I)所示的结构单元：

R₀₀₁-R₀₀₅彼此相同或不同，各自独立是H；D；未取代的具有

1至30个C原子的直链烷基；未取代的具有3至30个C原子的支链烷基；

并且，Ar₁和Ar₂选自通式（I-c），且至少有一个基团是氘代的：

其中，

R₁₀₉-R₁₁₂彼此相同或不同，各自独立是H；D；F；Cl；Br；氰基（-CN）；三氟甲基（-CF₃）；

虚线表示连接的单键。

3.一种组合物，包含有至少一种如权利要求1所述的化合物或权利要求2所述的高聚物，及至少一种有机溶剂。

4.一种如权利要求1所述的化合物或权利要求2所述的高聚物在有机电子器件中的应用。

5.一种有机电子器件，包含一种如权利要求1所述的化合物或权利要求2所述的高聚物。

6.根据权利要求5所述的有机电子器件，其特征在于，所述有机电子器件可选于有机光伏电池(OPV)、有机光电探测器(OPD)、有机发光二极管(OLED)、有机发光电池(OLEEC)、有机场效应管(OFET)、有机激光器，有机自旋电子器件，有机传感器及有机等离激元发射二极管(Organic Plasmon Emitting Diode)。