[发明专利]一种高质量单晶碎料处理方法在审
申请号: | 202110345953.1 | 申请日: | 2021-03-31 |
公开(公告)号: | CN113070274A | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 姚翠云;王艺澄 | 申请(专利权)人: | 江苏美科太阳能科技有限公司;包头美科硅能源有限公司 |
主分类号: | B08B3/08 | 分类号: | B08B3/08;B08B3/12;B03C1/00;B07B1/00 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 任立 |
地址: | 212200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 质量 单晶碎料 处理 方法 | ||
本发明公开了一种高质量单晶碎料处理方法,单晶碎料中含有非硅杂质、金属颗粒杂质、表面氧化、空气中粉尘吸附、碎末料,具体包括以下步骤:一:使用筛分设备进行筛分,将单晶碎料筛分出两种尺寸,分别为3‑8mm的单晶碎料,3mm以下碎末料;二:使用磁选机磁选3‑8mm尺寸单晶碎料;三:使用王水浸泡3‑8mm尺寸单晶碎料12小时以上;四:将步骤三中的3‑8mm尺寸单晶碎料用纯水中和漂洗至中性,然后使用氢氟酸和硝酸的混合液清洗,再超纯水漂洗,超声清洗,热分烘干;五:人工分选;该方法有效去除单晶碎料混有的杂质,提升单晶循环料的清洗质量,使得此类硅料的表金属含量达到电子级硅料表金属含量要求,可用于单晶拉棒原料使用,增加经济效益,使其达到变废为宝的目的。
技术领域
本发明涉及一种高质量单晶碎料处理方法,应用于单晶硅料处理工序,用于清洗单晶工序产生的可循环使用碎料的方法。
背景技术
单晶工序生产加工过程中,因实际使用要求,需将硅料破碎成线性尺寸小于等于60mm以内,现有生产技术在破碎过程中会产生大量尺寸小于等于8mm单晶碎料,现有处理方法为将此部分碎料使用氢氟酸:硝酸体积比占1:16清洗,单晶拉棒反馈各项数据均低于同期水平,该处理方法无法满足硅料使用需求,目前单晶碎料作为销售处理。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,针对以上现有技术存在的缺点,提出一种高质量单晶碎料处理方法,该方法可以有效去除单晶碎料混有的各类杂质,提升单晶循环料的清洗质量,使得此类硅料的表金属含量达到电子级硅料表金属含量要求,可用于单晶拉棒原料使用,在原先报废销售处理的情况下增加经济效益,使其达到变废为宝的目的。
本发明解决以上技术问题的技术方案是:
一种高质量单晶碎料处理方法,处理方法具体包括以下步骤:
步骤一:使用筛分设备进行筛分出目标直径不大于8mm的碎料,然后将单晶碎料筛分出两种尺寸,分别为3-8mm的单晶碎料,3mm以下碎末料;
步骤二:使用磁选机磁选3-8mm尺寸单晶碎料,去除磁性类金属杂质;
步骤三:使用王水浸泡3-8mm尺寸单晶碎料12小时以上,去除金属类杂质;
步骤四:将步骤三中的3-8mm尺寸单晶碎料用纯水中和漂洗至中性,然后使用氢氟酸和硝酸的混合液清洗,清洗时间为1分钟,再超纯水漂洗,超声清洗,热分烘干,去除表面氧化,表面粉尘吸附,其中:
按体积比计氢氟酸:硝酸=1:8-10;
步骤五:人工分选,分选去除非硅杂质。
本发明进一步限定的技术方案为:前述高质量单晶碎料处理方法中,步骤一中所述筛分设备使用3mm孔板。
前述高质量单晶碎料处理方法中,步骤二中所述磁选机的磁棒吸力达到12000高斯。
前述高质量单晶碎料处理方法中,步骤四中纯水的电阻率15MΩ,超纯水的电阻率18MΩ。
前述高质量单晶碎料处理方法中,步骤四中氢氟酸采用电子级、47%浓度的氢氟酸;硝酸采用电子级、69%浓度的硝酸。
前述高质量单晶碎料处理方法中,步骤四中超声清洗时频率为40khz。
本发明的有益效果是:
本发明通过此清洗方法的改进,可以有效去除此类循环料、碎杂料单晶碎料混有的各类杂质,提升单晶循环料的清洗质量提高品质,使得此类硅料的表金属含量达到电子级硅料表金属含量要求,表金属检测数据为Fe\Cr\Ni\Cu\Zn\Na总和在30ppbw以内,可用于单晶拉棒原料使用,在原先报废销售处理的情况下增加公司的经济效益,使其达到变废为宝的目的。
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